Výsledky vyhľadávania
Názov Thermal stability of rhombohedral α- and monoclinic β-Ga2O3 grown on sapphire by liquid-injection MOCVD Autor Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Nádaždy Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Priesol J. Egyenes Fridrich SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Šatka A. Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Materials science in semiconductor processing. Vol. 156 (2023), no. 107289 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2023 DOI 10.1016/j.mssp.2022.107289 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Thermal stability of rhombohedral α- and monoclinic β-Ga2O3 grown on sapphire by liquid-injection MOCVD.pdf Neprístupný/archív 9.9 MB 0 Vydavateľská verzia 
článok
Názov Identification of electrically stressed regions in AlGaN/GaN-on-Si Schottky barrier diode using EBIC technique Autor Priesol J. Spoluautori Šatka Alexander 1960 SAVMER - Ústav merania SAV Chvála A. Stoffels S. De Jaeger B. Decoutere S. Zdroj.dok. IEEE Transactions on Electron Devices. Vol. 68, no. 1 (2021), p. 216-221 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2021 DOI 10.1109/TED.2020.3039756 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Identification of electrically stressed regions.pdf Neprístupný/archív 2 MB 1 Vydavateľská verzia článok
Názov Analysis and modeling of vertical current conduction and breakdown mechanisms in semi-insulating GaN grown on GaN: role of deep levels Autor Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Chvála A. Šichman Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Priesol J. Šatka A. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. IEEE Transactions on Electron Devices. Vol. 68 (2021), no. 2365 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2021 DOI 10.1109/TED.2021.3065893 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Analysis and Modeling of Vertical Current.pdf Neprístupný/archív 1.3 MB 1 Vydavateľská verzia článok
Názov Investigation of semi-vertical GaN FET structures using EBIC method Autor Šatka Alexander 1960 SAVMER - Ústav merania SAV Spoluautori Priesol J. You S. Geens K. Decoutere S. Zdroj.dok. Proceedings of 11th Solid State Surfaces and Interfaces (ISSS 2020). P. 92-93. - Bratislava, Slovak Republic : Comenius University Bratislava, 2020 Kategória AFH - Abstrakty príspevkov z domácich konferencií Rok vykazovania 2020 článok
Názov Characterization of In-rich InAlN layers by panchromatic and spectrally resolved cathodoluminescence Autor Priesol J. Spoluautori Šatka Alexander 1960 SAVMER - Ústav merania SAV Kuzmík J. Hasenöhrl S. Chauhan P. Uherek F. Haško D. Zdroj.dok. Proceedings of 11th Solid State Surfaces and Interfaces (ISSS 2020). P. 76-77. - Bratislava, Slovak Republic : Comenius University Bratislava, 2020 Kategória AFH - Abstrakty príspevkov z domácich konferencií Rok vykazovania 2020 článok
Názov Semi-insulating GaN for vertical structures: role of substrate selection and growth pressure Autor Šichman Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Priesol J. Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Vincze A. Chvála A. Marek J. Šatka A. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Akcia APVV 18-0054. vedúci projektu Kuzmík, Ján : 2019-2022 VEGA 2/0012/18. vedúci projektu Kuzmík, Ján : 2018-2021 Zdroj.dok. Materials science in semiconductor processing. Vol. 118 (2020), no. 105203 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2020 DOI 10.1016/j.mssp.2020.105203 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Semi-insulating GaN for vertical structures role of substrate selection and growth.pdf Prístupný 1.4 MB 8 Autorský preprint Semi-insulating GaN for vertical.pdf Neprístupný/archív 1.2 MB 1 Vydavateľská verzia článok
Názov TDR and TDT methods for measuring pulse characteristics of semiconductor devices Autor Vilhan Martin SAVMER - Ústav merania SAV Spoluautori Šatka A. Priesol J. Zdroj.dok. Proceedings of ELITECH '19 : 21th Conference of Doctoral Students. P. non. - Bratislava, Slovak Republic : Slovak University of Technology, 2019 / Kozáková Alena ; Juhás G. ; Šály V. ; ELITECH '19 21th Conference of Doctoral Students Kategória AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách Rok vykazovania 2019 článok
Názov Device and circuit models of monolithic InAlN/GaN NAND and NOR logic cells comprising D- and E-mode HEMTs Autor Chvála A. Spoluautori Nagy L. Marek J. Priesol J. Donoval D. Šatka A. Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Journal of Circuits, Systems and Computers : Special Issue on Design, Technology, and Test of Integrated Circuits and Systems. Vol. 19 (2019), no. 1940009 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2019 DOI 10.1142/S0218126619400097 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Device and Circuit Models of Monolithic InAlN.pdf Neprístupný/archív 1.2 MB 0 Vydavateľská verzia článok
Názov Characterization of monolithic InAlN/GaN NAND logic cell supported by circuit and device simulations Autor Chvála A. Spoluautori Nagy L. Marek J. Priesol J. Donoval D. Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Šatka A. Zdroj.dok. IEEE Transactions on Electron Devices. Vol. 65 (2018), p. 2666-2669 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2018 DOI 10.1109/TED.2018.2828464 článok
Názov Simulation analysis of InAlN/GaN monolithic NAND logic cell Autor Chvála A. Spoluautori Nagy L. Marek J. Priesol J. Donoval D. Vilhan Martin SAVMER - Ústav merania SAV Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Šatka A. Zdroj.dok. ASDAM 2018 : The Twelfth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. P. 167-170. - : IEEE, 2018 / Breza J. ; Donoval D. ; Vavrinský E. ; ASDAM 2018 The Twelfth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems Kategória AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách Rok vykazovania 2018 DOI 10.1109/ASDAM.2018.8544508 článok