Výsledky vyhľadávania
Názov Evidence of hafnia oxygen vacancy defects in MOCVD grown HfxSi1-xOy ultrathin gate dielectrics gated with Ru electrode Autor Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Roozeboom F. Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. . Vol. 84, (2007), p. 2366-2369 Microelectronic Engineering : An International Journal of Semiconductor Manufacturing Technology Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2007 
článok
Názov Leakage characteristics of advanced MOS capacitors with hafnium silicate dielectric and Ru electrode Autor Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Roozeboom F. Zdroj.dok. ASDAM 2006. P. 21-24 : proceedings of the 6th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. - Piscataway : IEEE, 2006 / Breza J. ; Donoval D. ; Vavrinský E. Kategória AEC - Vedecké práce v zahraničných recenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách Kategória (od 2022) V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Typ výstupu príspevok Rok vykazovania 2006 článok
Názov Preparation of SrRuO3 films for advanced CMOS metal gates Autor Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Machajdík Daniel SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Lupták Roman SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hooker J.C. Roozeboom F. Kobzev A.P. Wiemer C. Ferrari C. Fanciulli M. Rossel C. Cabral C. Jr. Zdroj.dok. Materials science in semiconductor processing. Vol. 7, (2004), p. 265-269 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2004 článok
Názov Application of Ru-based gate materials for CMOS technology Autor Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Písečný Pavol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Lupták Roman SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Harmatha L. Hooker J.C. Roozeboom F. Jergel Matej 1954- SAVFYZIK - Fyzikálny ústav SAV Zdroj.dok. Materials science in semiconductor processing. Vol. 7, (2004), p. 271-276 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2004 článok
Názov Thermal stability of ruthenium MOS gate electrodes Autor Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Čičo Karol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Lupták Roman SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Harmatha L. Hooker J.C. Roozeboom F. Zdroj.dok. . S. 167-170 ASDAM 2004 : conference proceeding of the Fifth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Smolenice Castle, Slovakia October 17-21, 2004. - Piscataway : IEEE, 2004 / Osvald Jozef 1953 ; Haščík Štefan 1956 Kategória AEC - Vedecké práce v zahraničných recenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách Kategória (od 2022) V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Typ výstupu príspevok Rok vykazovania 2004 článok
Názov Metal oxide gate electrodes for advanced CMOS technology Autor Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Öszi Zsolt SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hooker J.C. Fanciulli M. Wiemer C. Dimoulas A. Vellianitis G. Roozeboom F. Zdroj.dok. Annalen der Physik. Vol. 13 (2004), p. 31 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2004 článok
Názov Ru and RuO2 gate electrodes for advanced CMOS technology Autor Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Machajdík Daniel SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hooker J.C. Perez N. Fanciulli M. Ferrari S. Wiemer C. Dimoulas A. Vellianitis G. Roozeboom F. Zdroj.dok. Materials Science and Engineering, B - Solid-State Materials for Advanced Technology. Vol. 109, (2004), p. 117–121 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2004 článok