Výsledky vyhľadávania
Názov Highly homogeneous 2D/3D heterojunction diodes by pulsed laser deposition of MoS2 on ion implantation doped 4H-SiC Autor Giannazzo F. Spoluautori Panasci S.E. Schilirò E. Fiorenza P. Greco G. Roccaforte F. Cannas M. Agnello S. Koos A. Pécz B. Španková Marianna 1969 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Chromik Štefan 1949 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. . Vol. 10 (2023), no. 2201502 Advanced Materials Interfaces Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2023 DOI 10.1002/admi.202201502 Miljević Milan Miterpáková Martina SAVPARAZ - Parazitologický ústav SAV Moks Epp Romig Thomas Saarma Urmas Šnábel Viliam SAVPARAZ - Parazitologický ústav SAV Sréter Tamás Valdmann Harri Boué Franck Akcia Contract no. 451-03-68/2020-14/200007 Contract No. TR31084 Zdroj.dok. Infection, Genetics and Evolution. Vol. 92 (2021), art. no. 104863 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Highly homogeneous 2D 3D heterojunction diodes by pulsed laser deposition of MoS2.pdf Prístupný 4.3 MB 2 Vydavateľská verzia 
článok