Výsledky vyhľadávania
Názov Electrical properties of Pt/TiO2/TiN structures grown by atomic layer deposition using TTIP and water Autor Horský Matej SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Nádaždy Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Seifertová Alena 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Dérer Ján 1948 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Fedor Ján 1976 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Ščepka Tomáš 1985 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hudec Boris SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. ASDAM 2022 : Conference Proceedings. P. 37-40. - : IEEE, 2022 / Marek Juraj ; Donoval D. ; Vavrinský E. ; International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems Kategória AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách Kategória (od 2022) V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Typ výstupu príspevok z podujatia Rok vykazovania 2022 
článok
Názov Piezoelectric thin film pressure sensor made by atomic layer deposition of 002-oriented ZnO on Autor Hudec Boris SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Vanko Gabriel 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Precner Marián 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Seifertová Alena 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Fedor Ján 1976 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Tóbik Jaroslav 1973 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. ASDAM 2022 : Conference Proceedings. P. 199-202. - : IEEE, 2022 / Marek Juraj ; Donoval D. ; Vavrinský E. ; International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems Kategória AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách Kategória (od 2022) V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Typ výstupu príspevok z podujatia Rok vykazovania 2022 článok
Názov Investigation of interfaces and threshold voltage instabilities in normally-off MOS-gated InGaN/AlGaN/GaN HEMTs Autor Pohorelec Ondrej SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Seifertová Alena 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Pécz B. Tóth L. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Akcia VEGA 2/0109/17. vedúci projektu Gregušová, Dagmar : 2017-2020 VEGA 2/0012/18. vedúci projektu Kuzmík, Ján : 2018-2021 Zdroj.dok. Applied Surface Science. Vol. 528 (2020), no. 146824 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2020 DOI 10.1016/j.apsusc.2020.146824 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Investigation of Interfaces and Threshold Voltage Instabilities_submitt.pdf Prístupný 1 MB 6 Autorský preprint Investigation of interfaces and threshold voltage.pdf Neprístupný/archív 1.2 MB 1 Vydavateľská verzia článok
Názov InGaN/(GaN)/AlGaN/GaN normally-off metal-oxide-semiconductor high-electron mobility transistors with etched access region Autor Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Tóth L. Pohorelec Ondrej SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Cora Ildikó Fogarassy Zsolt Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Seifertová Alena 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Laurenčíková Agáta 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Oyobiki T. Pécz B. Hashizume T. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Akcia VEGA 2/0012/18. vedúci projektu Kuzmík, Ján : 2018-2021 Zdroj.dok. Japanese Journal of Applied Physics. Vol. 58 (2019), no. SCCCD21 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2019 DOI 10.7567/1347-4065/ab06b8 URL URL link Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence InGaN (GaN) AlGaN GaN normally-off metal-oxide-semiconductor high-electron mobility transistors with etched access region.pdf Neprístupný/archív 855.4 KB 0 Vydavateľská verzia článok
Názov Polarization-engineered n+GaN/InGaN/AlGaN/GaN normally-off MOS HEMTs Autor Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Šichman Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Laurenčíková Agáta 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Seifertová Alena 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Dérer Ján 1948 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Brunner F. Würfl H.-J. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Akcia VEGA 2/0109/17. vedúci projektu Gregušová, Dagmar : 2017-2020 Zdroj.dok. Physica Status Solidi A : applications and materials science. Vol. 214 (2017), no. 1700407 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2017 DOI 10.1002/pssa.201700407 článok
Názov Hafnium oxide as a promising material for gate isolation in GaN-based MOS HFETs Autor Brytavskyi I.V. Spoluautori Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Seifertová Alena 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Akcia VEGA 2/0104/17. vedúci projektu Novák, Jozef : 2017-2020 VEGA 2/0109/17. vedúci projektu Gregušová, Dagmar : 2017-2020 Zdroj.dok. ADEPT 2017 : proceedings of the 5th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies, Podbanské, High Tatras, Slovakia, June 19-22, 2017. P. 207-210. - Žilina : University of Žilina, 2017 / Lettrichová I. ; Šušlik Ľ. ; Kováč Jaroslav Jr. Kategória AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách Rok vykazovania 2017 článok
Názov Post-deposition annealing and thermal stability of integrated self-aligned E/D-mode n++GaN/InAlN/AlN/GaN MOS HEMTs Autor Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Seifertová Alena 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Šoltýs Ján 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Šatka A. Nagy L. Chvála A. Marek J. Priesol J. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. ASDAM 2016 : the 11th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. P. 177-180. - : IEEE, 2016 / Haščík Štefan 1956 ; Dzuba Jaroslav 1987 ; Vanko Gabriel 1981 Kategória ADMB - Vedecké práce v zahraničných neimpaktovaných časopisoch registrovaných vo WOS Core Collection alebo SCOPUS Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2016 DOI 10.1109/ASDAM.2016.7805924 článok
Názov Technology of integrated self-aligned E/D-mode n++GaN/InAlN/AlN/GaN MOS HEMTs for mixed-signal electronics Autor Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Seifertová Alena 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Šoltýs Ján 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Šatka A. Nagy L. Chvála A. Marek J. Carlin J.-F. Grandjean N. Konstantinidis G. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Semiconductor Science and Technology. Vol. 31 (2016), no. 065011 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2016 DOI 10.1088/0268-1242/31/6/065011 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Technology of integrated self-aligned.pdf Neprístupný/archív 1.1 MB 1 Vydavateľská verzia článok
Názov Adjustment of threshold voltage in AlN/AlGaN/GaN high-electron mobility transistors by plasma oxidation and Al2O3 atomic layer deposition overgrowth Autor Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Jurkovič Michal SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Seifertová Alena 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Fedor Ján 1976 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Vogrinčič P. Liday J. Derluyn J. Germain M. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Applied Physics Letters. Vol. 104, (2014), 013506 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2014 DOI 10.1063/1.4861463 článok