Výsledky vyhľadávania

Nájdených záznamov: 17  
Váš dotaz: Autor-kód záznamu = "^sav_un_auth 0186373^"
  1. NázovStudy of the pulse height defect of 4H-SiC Schottky barrier detectors in heavy ion detection
    Autor Zaťko Bohumír 1973 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Hrubčín Ladislav 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Šagátová A.
    Boháček Pavol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Ivanov O.M.
    Sekáčová Mária 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kováčová Eva 1966 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Gurov J.B.
    Skuratov V.A.
    Zdroj.dok. AIP Conference Proceedings. Vol. 2411 (2021), no. 070007
    KategóriaADMB - Vedecké práce v zahraničných neimpaktovaných časopisoch registrovaných vo WOS Core Collection alebo SCOPUS
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2021
    DOI 10.1063/5.0067353
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Study of the Pulse Height Defect of 4H-SiC Schottky Barrier.pdfPrístupný1.1 MB2Vydavateľská verzia
    článok

    článok

  2. NázovThe amplitude defect of SiC detectors during the recording of accelerated Xe ions
    Autor Hrubčín Ladislav 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Gurov J.B.
    Zaťko Bohumír 1973 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Boháček Pavol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Rozov S.V.
    Rozov I.E.
    Sandukovsky V.G.
    Skuratov V.A.
    Zdroj.dok. Physics of atomic nuclei. Vol. 82 (2019), p. 1682-1685
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2019
    DOI 10.1134/S1063778819120111
    článok

    článok

  3. NázovThe effect of Xe ion irradiation on the properties of SiC(P) and SiC(B) film prepared by PECVD technology
    Autor Huran Jozef 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Hrubčín Ladislav 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Boháček Pavol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Skuratov V.A.
    Kleinová Angela 1960- SAVPOLYM - Ústav polymérov SAV
    Sasinková Vlasta 1954- SAVCHEM - Chemický ústav SAV
    Kobzev A.P.
    Kováčová Eva 1966 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. ADEPT 2019 : 7th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies. P. 155-158. - Žilina, Slovakia : University of Žilina, 2019 / Jandura D. ; Šušlik Ľ. ; Urbancová P. ; Kováč J., jr. ; ADEPT 2019 7th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies
    KategóriaAFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    Rok vykazovania2019
    článok

    článok

  4. NázovRadiation hardness investigation of heterojunction solar cell structures with TCO antireflection films
    Autor Huran Jozef 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Boháček Pavol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Perný M.
    Mikolášek M.
    Skuratov V.A.
    Kobzev A.P.
    Šály V.
    Arbet Juraj 1959 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. Journal of Physics: Conference Series : MME 2018. Vol. 1319 (2019), no. 012016
    KategóriaADMB - Vedecké práce v zahraničných neimpaktovaných časopisoch registrovaných vo WOS Core Collection alebo SCOPUS
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2019
    DOI 10.1088/1742-6596/1319/1/012016
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Radiation hardness investigation of heterojunction solar cell structures with TCO antireflection films.pdfPrístupný1.6 MB2Vydavateľská verzia
    článok

    článok

  5. NázovSchottky barrier detectors based on high quality 4H-SIC semiconductor: electrical and detection properties
    Autor Zaťko Bohumír 1973 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Hrubčín Ladislav 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Šagátová A.
    Osvald Jozef 1953 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Boháček Pavol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zápražný Zdenko 1980 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Sedlačková K.
    Sekáčová Mária 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Dubecký František 1946 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Skuratov V.A.
    Korytár Dušan 1950 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Nečas V.
    Zdroj.dok. Applied Surface Science. Vol. 461 (2018), p. 276-280
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2018
    DOI 10.1016/j.apsusc.2018.07.008
    článok

    článok

  6. NázovCharacteristics of Si and SiC detectors at registration of Xe ions
    Autor Hrubčín Ladislav 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Gurov J.B.
    Zaťko Bohumír 1973 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Mitrofanov S.V.
    Rozov S.V.
    Sedlačková K.
    Sandukovsky V.G.
    Semin V.A.
    Nečas V.
    Skuratov V.A.
    Zdroj.dok. Journal of Instrumentation. Vol. 13 (2018), no. P11005
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2018
    DOI 10.1088/1748-0221/13/11/P11005
    URLURL link
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Characteristics of Si and SiC detectors at registration of Xe ions.pdfNeprístupný/archív1.2 MB1Vydavateľská verzia
    článok

    článok

  7. NázovA study of the radiation hardness of Si and SiC detectors using a Xe ion beam
    Autor Hrubčín Ladislav 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Gurov J.B.
    Zaťko Bohumír 1973 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Ivanov O.M.
    Mitrofanov S.V.
    Rozov S.V.
    Sandukovsky V.G.
    Semin V.A.
    Skuratov V.A.
    Akcia VEGA 2/0092/18. vedúci projektu Zápražný, Zdenko : 2018-2020
    Zdroj.dok. Instruments and Experimental Techniques. Vol. 61, iss. 6 (2018), p. 769-771
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2018
    DOI 10.1134/S0020441218060192
    článok

    článok

  8. NázovHigh energy ion detection using 4H-SiC semiconductor detector
    Autor Zaťko Bohumír 1973 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Hrubčín Ladislav 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Sedlačková K.
    Boháček Pavol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Šagátová A.
    Sekáčová Mária 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Arbet Juraj 1959 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Skuratov V.A.
    Nečas V.
    Zdroj.dok. APCOM 2017 : proceedings of the 23th International Conference on Applied Physics of Condensed Matter, June 12-14, 2017, Štrbské Pleso, Slovak Republic. P. 154-157. - Bratislava : SPEKTRUM STU, 2017 / Vajda J. ; Jamnický I.
    KategóriaAFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    Rok vykazovania2017
    článok

    článok

  9. NázovInflunce of exposure with Xe radiation on heterojunction solar cell a-SiC/c-Si studied by impedance spectroscopy
    Autor Perný M.
    Spoluautori Šály V.
    Packa J.
    Mikolášek M.
    Váry M.
    Huran Jozef 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Hrubčín Ladislav 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Skuratov V.A.
    Arbet Juraj 1959 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. Journal of Physics: Conference Series. Vol. 829 (2017), art. no. 012016
    KategóriaADMB - Vedecké práce v zahraničných neimpaktovaných časopisoch registrovaných vo WOS Core Collection alebo SCOPUS
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2017
    DOI 10.1088/1742-6596/829/1/012016
    URLURL link
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Influnce of exposure with Xe radiation on heterojunction solar cell a-SiCc-Si studied by impedance spectroscopy.pdfPrístupný806.9 KB0Vydavateľská verzia
    článok

    článok

  10. NázovParticle detectors based on 4H-SiC epitaxial layer and their properties
    Autor Zaťko Bohumír 1973 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Hrubčín Ladislav 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Šagátová A.
    Boháček Pavol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Dubecký František 1946 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Sedlačková K.
    Sekáčová Mária 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Arbet Juraj 1959 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Nečas V.
    Skuratov V.A.
    Zdroj.dok. ASDAM 2016 : the 11th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. P. 141-144. - : IEEE, 2016 / Haščík Štefan 1956 ; Dzuba Jaroslav 1987 ; Vanko Gabriel 1981
    KategóriaADMB - Vedecké práce v zahraničných neimpaktovaných časopisoch registrovaných vo WOS Core Collection alebo SCOPUS
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2016
    DOI 10.1109/ASDAM.2014.6998647
    článok

    článok


  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.