Výsledky vyhľadávania
Názov Growth of α- and β-Ga2O3 epitaxial layers on sapphire substrates using liquid-injection MOCVD Autor Egyenes Fridrich SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Sobota M. SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Mikolášek M. Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Semiconductor Science and Technology. Vol. 35 (2020), no. 115002 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2020 DOI 10.1088/1361-6641/ababdc Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Growth of α- and β-Ga2O3 epitaxial layers on.pdf Prístupný 1.1 MB 0 Autorský preprint Growth of α-Ga2O3 epitaxial layers on sapphire substrates using liquid-injection MOCVD.pdf Neprístupný/archív 5.2 MB 2 Vydavateľská verzia 
článok