Výsledky vyhľadávania
Názov Technology related issues regarding fabrication of AlGaN/GaN-based MOSHFETs with GdScO3 as dielectric Autor Heidelberg G. Spoluautori Roeckerath M. Steins R. Stefaniak M. Fox A. Schubert J. Kaluza N. Marso M. Lüth Hans Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. ASDAM 2006 : proceedings of the 6th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. P. 241-244. - Piscataway : IEEE, 2006 / Breza J. ; Donoval D. ; Vavrinský E. Kategória AEC - Vedecké práce v zahraničných recenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách Kategória (od 2022) V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Typ výstupu príspevok Rok vykazovania 2006 
článok