Výsledky vyhľadávania

Nájdených záznamov: 30  
Váš dotaz: Autor-kód záznamu = "^sav_un_auth 0085075^"

  1. 1.Self-heating in GaN transistors designed for high-power operation

    NázovSelf-heating in GaN transistors designed for high-power operation
    Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Válik Lukáš 1990 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Molnár M.
    Donoval D.
    Fleury C.
    Pogany D.
    Strasser G.
    Hilt O.
    Brunner F.
    Würfl H.-J.
    Zdroj.dok. IEEE Transactions on Electron Devices. Vol. 61, (2014), p. 3429-3434
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2014
    DOI 10.1109/TED.2014.2350516
    článok

    článok

  2. 2.Influence of processing and annealing steps on electrical properties of InAlN/GaN high electron mobility transistor with Al2O3 gate insulation and passivation

    NázovInfluence of processing and annealing steps on electrical properties of InAlN/GaN high electron mobility transistor with Al2O3 gate insulation and passivation
    Autor Čičo Karol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Jurkovič Michal SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Alexewicz A.
    di Forte Poisson M.A.
    Pogany D.
    Strasser G.
    Delage S.
    Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. Solid-State Electronics. Vol. 67 (2012), p. 74-78
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2012
    DOI 10.1016/j.sse.2011.09.002
    článok

    článok

  3. 3.Buffer-related degradation aspects of single and double-heterostructure quantum well InAlN/GaN high-electron-mobility transistors

    NázovBuffer-related degradation aspects of single and double-heterostructure quantum well InAlN/GaN high-electron-mobility transistors
    Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Vitanov S.
    Dua C.
    Carlin J.-F.
    Ostermaier C.
    Alexewicz A.
    Strasser G.
    Pogany D.
    Gornik E.
    Grandjean N.
    Delage S.
    Palankovski V.
    Zdroj.dok. Japanese Journal of Applied Physics. Vol. 51, (2012), art. no. 054102
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2012
    DOI 10.1143/JJAP.51.054102
    článok

    článok

  4. 4.Improvements of high performance 2-nm-thin InAlN/AlN barrier devices by interface engineering

    NázovImprovements of high performance 2-nm-thin InAlN/AlN barrier devices by interface engineering
    Autor Ostermaier C.
    Spoluautori Pozzovivo G.
    Carlin J.-F.
    Basnar B.
    Schrenk W.
    Ahn S.-I.
    Detz H.
    Klang P.
    Andrews A.M.
    Douvry Y.
    Gaquiere C.
    De Jaeger J.-C.
    Toth L.
    Pécz B.
    Gonschorek M.
    Feltin E.
    Grandjean N.
    Strasser G.
    Pogany D.
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. AIP Conference Proceedings. Vol. 1399, (2011), p. 905-906
    KategóriaADEB - Vedecké práce v ostatných zahraničných časopisoch neimpaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2012
    DOI 10.1063/1.3666669
    článok

    článok

  5. 5.Role of the gate-to-drain distance in the performance of the normally-off InAlN/GaN HEMTs

    NázovRole of the gate-to-drain distance in the performance of the normally-off InAlN/GaN HEMTs
    Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Ostermaier C.
    Pozzovivo G.
    Basnar B.
    Schrenk W.
    Carlin J.-F.
    Gonschorek M.
    Feltin E.
    Grandjean N.
    Douvry Y.
    Gaquire Ch.
    De Jaeger J.-C.
    Strasser G.
    Pogany D.
    Gornik E.
    Zdroj.dok. ASDAM 2010 : proceedings of the 8th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. P. 163-166. - Piscataway : IEEE, 2010 / Breza J. ; Donoval D. ; Vavrinský E.
    KategóriaAEC - Vedecké práce v zahraničných recenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách
    Kategória (od 2022)V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    Typ výstupupríspevok
    Rok vykazovania2010
    článok

    článok

  6. 6.Current transport in Ni/InAlN/GaN Schottky diodes

    NázovCurrent transport in Ni/InAlN/GaN Schottky diodes
    Autor Donoval D.
    Spoluautori Chvála A.
    Pozzovivo G.
    Šramatý R.
    Carlin J.-F.
    Kováč Ján
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Strasser G.
    Grandjean N.
    Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. / Pavlidis D. ; Yilmazoglu O. ; Biethan J.-P. . P. 45-46 34th Workshop on Compound Semicond. Devices and Integrated Circuits held in Europe : WOCSDICE 2010. - Darmstadt : TU, 2010
    KategóriaAEC - Vedecké práce v zahraničných recenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách
    Kategória (od 2022)V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    Typ výstupupríspevok
    Rok vykazovania2010
    článok

    článok

  7. 7.Study of Si implantation into Mg-doped GaN for MOSFETs

    NázovStudy of Si implantation into Mg-doped GaN for MOSFETs
    Autor Ostermaier C.
    Spoluautori Ahn S.-I.
    Potzger K.
    Helm M.
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Pogany D.
    Strasser G.
    Lee J.-H.
    Hahm S.-H.
    Lee Jung-Hee
    Zdroj.dok. Physica status solidi C. Vol. 7, (2010), p. 1964-1966
    KategóriaADEB - Vedecké práce v ostatných zahraničných časopisoch neimpaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2010
    DOI 10.1002/pssc.200983534
    článok

    článok

  8. 8.Proposal and performance analysis of normally-off n++ GaN/InAlN/AlN/GaN HEMTs with 1 nm thick InAlN barrier

    NázovProposal and performance analysis of normally-off n++ GaN/InAlN/AlN/GaN HEMTs with 1 nm thick InAlN barrier
    Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Ostermaier C.
    Pozzovivo G.
    Basnar B.
    Schrenk W.
    Carlin J.-F.
    Gonschorek M.
    Feltin E.
    Grandjean N.
    Douvry Y.
    Gaquiere C.
    De Jaeger J.-C.
    Čičo Karol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Škriniarová Jaroslava
    Kováč Ján
    Strasser G.
    Pogany D.
    Gornik E.
    Zdroj.dok. . Vol. 57 (2010), p. 2144-2154 IEEE Transactions on Electron Devices
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2010
    DOI 10.1109/TED.2010.2055292
    článok

    článok

  9. 9.Current transport and barrier height evaluation in Ni/InAlN/GaN Schottky diodes

    NázovCurrent transport and barrier height evaluation in Ni/InAlN/GaN Schottky diodes
    Autor Donoval D.
    Spoluautori Chvála A.
    Šramatý R.
    Kováč Jaroslav
    Carlin J.-F.
    Grandjean N.
    Pozzovivo G.
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Pogany D.
    Strasser G.
    Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. Applied Physics Letters. Vol. 96, (2010), 223501
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2010
    DOI 10.1063/1.3442486
    článok

    článok

  10. 10.Metal-related gate sinking due to interfacial oxygen layer in Ir/InAlN high electron mobility transistors

    NázovMetal-related gate sinking due to interfacial oxygen layer in Ir/InAlN high electron mobility transistors
    Autor Ostermaier C.
    Spoluautori Pozzovivo G.
    Basnar B.
    Schrenk W.
    Schmid M.
    Tóth L.
    Pécz B.
    Carlin J.-F.
    Gonschorek M.
    Grandjean N.
    Strasser G.
    Pogany D.
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. Applied Physics Letters. Vol. 96, (2010), 263515
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2010
    DOI 10.1063/1.3458700
    článok

    článok


  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.

Prijať všetkoNastavenieOdmietnuť všetko