Výsledky vyhľadávania
Názov Investigation of interfaces and threshold voltage instabilities in normally-off MOS-gated InGaN/AlGaN/GaN HEMTs Autor Pohorelec Ondrej SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Seifertová Alena 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Pécz B. Tóth L. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Akcia VEGA 2/0109/17. vedúci projektu Gregušová, Dagmar : 2017-2020 VEGA 2/0012/18. vedúci projektu Kuzmík, Ján : 2018-2021 Zdroj.dok. Applied Surface Science. Vol. 528 (2020), no. 146824 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2020 DOI 10.1016/j.apsusc.2020.146824 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Investigation of Interfaces and Threshold Voltage Instabilities_submitt.pdf Prístupný 1 MB 6 Autorský preprint Investigation of interfaces and threshold voltage.pdf Neprístupný/archív 1.2 MB 1 Vydavateľská verzia 
článok
Názov Investigation of interfaces and threshold voltage instabilities in MOS-gated InGaN/AlGaN/GaN HEMTs Autor Pohorelec Ondrej SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Pécz B. Tóth L. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. SURFINT - SREN IV 2019 : Extended Abstract Book. P. 136-137. - Slovak Republic : Comenius University Bratislava, 2019 / Brunner Róbert 1954 ; SURFINT - SREN IV : Progress in applied surface, interface and thin film science Kategória AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách Rok vykazovania 2019 článok
Názov InGaN/(GaN)/AlGaN/GaN normally-off metal-oxide-semiconductor high-electron mobility transistors with etched access region Autor Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Tóth L. Pohorelec Ondrej SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Cora Ildikó Fogarassy Zsolt Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Seifertová Alena 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Laurenčíková Agáta 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Oyobiki T. Pécz B. Hashizume T. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Akcia VEGA 2/0012/18. vedúci projektu Kuzmík, Ján : 2018-2021 Zdroj.dok. Japanese Journal of Applied Physics. Vol. 58 (2019), no. SCCCD21 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2019 DOI 10.7567/1347-4065/ab06b8 URL URL link Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence InGaN (GaN) AlGaN GaN normally-off metal-oxide-semiconductor high-electron mobility transistors with etched access region.pdf Neprístupný/archív 855.4 KB 0 Vydavateľská verzia článok
Názov Investigation of ‘surface donors’ in Al2O3/AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructures: Correlation of electrical, structural, and chemical properties Autor Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Tóth L. Pécz B. Brunner F. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Applied Surface Science. Vol. 426 (2017), p. 656-661 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2017 DOI 10.1016/j.apsusc.2017.07.195 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Investigation of ‘surface donors’ in Al2O3AlGaNGaN metal-oxide-semiconductor heterostructures Correlation of electrical, structural, and chemical properties.pdf Neprístupný/archív 1.6 MB 1 Postprint článok
Názov Low-temperature atomic layer deposition-grown Al2O3 gate dielectric for GaN/AlGaN/GaN MOS HEMTs: Impact of deposition conditions on interface state density Autor Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Válik Lukáš 1990 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Tóth L. Pécz B. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Journal of Vacuum Science and Technology B. Vol. 35 (2017), no. 01A107, Microelectronics and Nanometer Structures Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2017 DOI 10.1116/1.4972870 článok
Názov Metal-related gate sinking due to interfacial oxygen layer in Ir/InAlN high electron mobility transistors Autor Ostermaier C. Spoluautori Pozzovivo G. Basnar B. Schrenk W. Schmid M. Tóth L. Pécz B. Carlin J.-F. Gonschorek M. Grandjean N. Strasser G. Pogany D. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Applied Physics Letters. Vol. 96, (2010), 263515 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2010 DOI 10.1063/1.3458700 článok
Názov Characterization of plasma-induced damage of selectively recessed GaN/InAlN/AlN/GaN heterostructures using SiCl4 and SF6 Autor Ostermaier C. Spoluautori Pozzovivo G. Basnar B. Schrenk W. Carlin J.-F. Gonschorek M. Grandjean N. Vincze A. Tóth L. Pécz B. Strasser G. Pogany D. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Japanese Journal of Applied Physics. Vol. 49, (2010), 116506 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2010 DOI 10.1143/JJAP.49.116506 článok