Výsledky vyhľadávania
Názov Properties of InGaAs/GaAs metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors modified by surface treatment Autor Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kúdela Róbert 1952 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Mičušík Matej 1977- SAVPOLYM - Ústav polymérov SAV Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Válik Lukáš 1990 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Greguš J. Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kordoš Peter Zdroj.dok. Applied Surface Science. Vol. 395 (2017), p. 140-144 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2017 DOI 10.1016/j.apsusc.2016.07.019 
článok
Názov Low-temperature atomic layer deposition-grown Al2O3 gate dielectric for GaN/AlGaN/GaN MOS HEMTs: Impact of deposition conditions on interface state density Autor Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Válik Lukáš 1990 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Tóth L. Pécz B. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Journal of Vacuum Science and Technology B. Vol. 35 (2017), no. 01A107, Microelectronics and Nanometer Structures Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2017 DOI 10.1116/1.4972870 článok
Názov DC and pulsed IV characterisation of AlGaN/GaN MOS-HEMT with Al2O3 gate dielectric prepared by various techniques Autor Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Válik Lukáš 1990 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Pohorelec Ondrej SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. ASDAM 2016 : the 11th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. P. 9-12. - : IEEE, 2016 / Haščík Štefan 1956 ; Dzuba Jaroslav 1987 ; Vanko Gabriel 1981 Kategória ADMB - Vedecké práce v zahraničných neimpaktovaných časopisoch registrovaných vo WOS Core Collection alebo SCOPUS Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2016 DOI 10.1109/ASDAM.2016.7805883 článok
Názov Treshold voltage instabilities in AlGaN/GaN MOS-HEMTs with ALD-grown Al2O3 gate dielectrics: relation to distribution of oxide/semiconductor interface state density Autor Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Válik Lukáš 1990 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hashizume T. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. ASDAM 2016 : the 11th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. P. 1-4. - : IEEE, 2016 / Haščík Štefan 1956 ; Dzuba Jaroslav 1987 ; Vanko Gabriel 1981 Kategória ADMB - Vedecké práce v zahraničných neimpaktovaných časopisoch registrovaných vo WOS Core Collection alebo SCOPUS Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2016 DOI 10.1109/ASDAM.2016.7805881 článok
Názov Effect of HCl pretreatment on the oxide/semiconductor interface state density in AlGaN/GaN MOS-HEMT structures with MOCVD grown Al2O3 gate dielectric Autor Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Pohorelec Ondrej SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Válik Lukáš 1990 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. ASDAM 2016 : the 11th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. P. 207-210. - : IEEE, 2016 / Haščík Štefan 1956 ; Dzuba Jaroslav 1987 ; Vanko Gabriel 1981 Kategória ADMB - Vedecké práce v zahraničných neimpaktovaných časopisoch registrovaných vo WOS Core Collection alebo SCOPUS Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2016 DOI 10.1109/ASDAM.2016.7805931 článok
Názov Impact of the buffer structure on trapping characteristics of normally-off p-GaN/AlGaN/GaN HEMTs for power switching applications Autor Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Válik Lukáš 1990 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kotara P. Zhytnytska R. Brunner F. Hilt O. Bahat-Treidel E. Würfl H.-J. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. ASDAM 2014 : The 10th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. P. 121-124. - : IEEE, 2014 / Breza Juraj ; Donoval Daniel ; Vavrinský E. Kategória AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách Rok vykazovania 2014 článok
Názov Self-heating in GaN transistors designed for high-power operation Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Válik Lukáš 1990 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Molnár M. Donoval D. Fleury C. Pogany D. Strasser G. Hilt O. Brunner F. Würfl H.-J. Zdroj.dok. IEEE Transactions on Electron Devices. Vol. 61, (2014), p. 3429-3434 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2014 DOI 10.1109/TED.2014.2350516 článok
Názov Impact of GaN cap on charges in Al2O3/(GaN/)AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructures analyzed by means of capacitance measurements and simulations Autor Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Jurkovič Michal SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Válik Lukáš 1990 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Brunner F. Cho E.-M. Hashizume T. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Journal of Applied Physics. Vol. 116, (2014), 104501 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2014 DOI 10.1063/1.4894703 článok