Výsledky vyhľadávania

Nájdených záznamov: 12  
Váš dotaz: Autor-kód záznamu = "^sav_un_auth 0177556^"
  1. NázovCarbon nanowalls on porous forms of SiO2 and Al2O3
    Autor Kadlečíková M.
    Spoluautori Jesenák K.
    Vančo L.
    Škriniarová Jaroslava SAVINFO - Ústav informatiky SAV
    Hubeňák Michal
    Breza J.
    Zdroj.dok. AIP Conference Proceedings. Vol. 2778 (2023), art. no. 040013
    KategóriaADMB - Vedecké práce v zahraničných neimpaktovaných časopisoch registrovaných vo WOS Core Collection alebo SCOPUS
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2023
    DOI 10.1063/5.0135836
    článok

    článok

  2. NázovSynthesis of sulfide perovskites by sulfurization with boron sulfides
    Autor Bystrický Roman 1986 SAVANOCH - Ústav anorganickej chémie SAV
    Spoluautori Tiwari S.K.
    Hutár Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Vančo L.
    Sýkora M.
    Zdroj.dok. Inorganic Chemistry. Vol. 61 (2022), p. 18823–18827
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2022
    DOI 10.1021/acs.inorgchem.2c03200
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Synthesis of Sulfide Perovskites by Sulfurization with Boron Sulfides.pdfPrístupný2.2 MB5Vydavateľská verzia
    článok

    článok

  3. NázovRaman spectroscopy of silicon with nanostructured surface
    Autor Kadlečíková M.
    Spoluautori Vančo L.
    Breza J.
    Mikolášek M.
    Hušeková Kristína 1957 SAVCEMEA - Centrum pre využitie pokročilých materiálov SAV
    Fröhlich Karol 1954 SAVCEMEA - Centrum pre využitie pokročilých materiálov SAV
    Procel P.
    Zeman M.
    Isabella O.
    Zdroj.dok. Optik : International Journal for Light and Electron Optics. Vol. 257 (2022), no. 168869
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2022
    DOI 10.1016/j.ijleo.2022.168869
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Raman spectroscopy of silicon with nanostructured surface.pdfNeprístupný/archív8.5 MB2Vydavateľská verzia
    článok

    článok

  4. NázovMg doping of InAlN layers
    Autor Pohorelec Ondrej SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Vančo L.
    Gregor M.
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. Proceedings of ADEPT 2021 : 9th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies, Podbanské, High Tatras, Slovakia. P. 147-150. - Žilina : Univ. Zilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2021 / Jandura D. ; Maniaková P. ; Lettrichová I. ; Kováč Jaroslav Jr.
    KategóriaAFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    Rok vykazovania2021
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Mg doping of InAlN layers.pdfPrístupný769.2 KB1Vydavateľská verzia
    článok

    článok

  5. NázovA systematic study of MOCVD reactor conditions and Ga memory effect on properties of thick InAl(Ga)N layers: A complete depth-resolved investigation
    Autor Chauhan Prerna SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Vančo L.
    Šiffalovič Peter 1975 SAVFYZIK - Fyzikálny ústav SAV
    Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Machajdík Daniel SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kováč Jaroslav Jr.
    Maťko Igor 1963 SAVFYZIK - Fyzikálny ústav SAV
    Kuball M.
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. CrystEngComm. Vol. 22 (2020), p. 130-141
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2020
    DOI 10.1039/c9ce01549c
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    A systematic study of MOCVD reactor conditions.pdfNeprístupný/archív5.7 MB0Vydavateľská verzia
    článok

    článok

  6. NázovGeneration of hole gas in non-inverted InAl(Ga)N/GaN heterostructures
    Autor Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Chauhan Prerna SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Vančo L.
    Veselý M.
    Bouazzaoui F.
    Chauvat M.-P.
    Ruterana P.
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Akcia VEGA 2/0012/18. vedúci projektu Kuzmík, Ján : 2018-2021
    Zdroj.dok. Applied Physics Express. Vol. 12 (2019), no. 014001
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2019
    DOI 10.7567/1882-0786/aaef41
    URLURL link
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Generation of hole gas in non-inverted InAl.pdfNeprístupný/archív605.7 KB0Vydavateľská verzia
    článok

    článok

  7. NázovEvidence of relationship between strain and In-incorporation: growth of N-polar In-rich InAlN buffer layer by OMCVD
    Autor Chauhan Prerna SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Chauvat M.-P.
    Minj A.
    Gucmann Filip 1987
    Vančo L.
    Kováč Jaroslav Jr.
    Kret S.
    Ruterana P.
    Kuball M.
    Šiffalovič Peter 1975 SAVFYZIK - Fyzikálny ústav SAV
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. Journal of Applied Physics. Vol. 125, no. 10 (2019), 105304
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2019
    DOI 10.1063/1.5079756
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Evidence of relationship between strain and In.pdfNeprístupný/archív2.3 MB0Vydavateľská verzia
    Evidence of relationship between strain and In-incorporation growth of N-polar In-rich InAlN buffer layer by OMCVD.pdfPrístupný1.6 MB11Postprint
    článok

    článok

  8. NázovGrowth of lithium hybride thin films from solutions: Towards solution atomic layer deposition of lithiated films
    Autor Kundrata Ivan SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Vančo L.
    Mičušík Matej 1977- SAVPOLYM - Ústav polymérov SAV
    Bachmann J.
    Akcia VEGA 2/0136/18. vedúci projektu Fröhlich, Karol : 2018-2021
    Zdroj.dok. Beilstein Journal of Nanotechnology. Vol. 10 (2019), p. 1443-1451
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2019
    DOI 10.3762/bjnano.10.142
    článok

    článok

  9. NázovEffect of temperature and carrier gas on the properties of thick InxAl1-xN layer
    Autor Chauhan Prerna SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Vančo L.
    Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kováč Jaroslav
    Šiffalovič Peter 1975 SAVFYZIK - Fyzikálny ústav SAV
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. Applied Surface Science. Vol. 470 (2019), p. 1-7
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2019
    DOI 10.1016/j.apsusc.2018.10.231
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Effect of temperature and carrier gas on the properties of thick N layer.pdfPrístupný3.2 MB0Vydavateľská verzia
    článok

    článok

  10. NázovComparison of Al and Cu masks used for patterning boron-doped diamonds in oxygen plasma
    Autor Marton Marián
    Spoluautori Ritomský Mário 1993- SAVINFO - Ústav informatiky SAV
    Řeháček V.
    Michniak P.
    Behúl Miroslav
    Novák Patrik
    Vančo L.
    Vojs M.
    Zdroj.dok. Journal of Micromechanics and Microengineering. Vol. 29, no. 12 (2019), art. no. 124004, 9 p.
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2020
    DOI 10.1088/1361-6439/ab4d6f
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Comparison of Al and Cu masks used for patterning boron-doped diamonds in oxygen plasma.pdfPrístupný3 MB0Vydavateľská verzia
    článok

    článok


  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.