Výsledky vyhľadávania

Nájdených záznamov: 52  
Váš dotaz: Autor-kód záznamu = "^sav_un_auth 0097884^"
  1. NázovMg doping of N-polar, in-rich InAlN
    Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Pohorelec Ondrej SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kučera Michal 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Precner Marián 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Vincze A.
    Akcia VEGA 2/0005/22. vedúci projetu: J. Kuzmík : 2022-2025
    Zdroj.dok. Materials. Vol. 16 (2023), no. 2250
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2023
    DOI 10.3390/ma16062250
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Mg Doping of N-Polar, In-Rich InAlN.pdfPrístupný2.5 MB1Vydavateľská verzia
    článok

    článok

  2. NázovInfluence of SiON interlayer on the diamond/GaN heterostructures studied by Raman and SIMS measurements
    Autor Izsák Tibor SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Vanko Gabriel 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Babchenko Oleg 1983
    Vincze A.
    Vojs M.
    Zaťko Bohumír 1973 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kromka A.
    Zdroj.dok. Materials Science and Engineering B - Solid-State Materials for Advanced Technology. Vol. 273 (2021), no. 115434
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2021
    DOI 10.1016/j.mseb.2021.115434
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Influence of SiON interlayer on the diamond GaN heterostructures studied by Raman.pdfPrístupný2.7 MB0Autorský preprint
    Influence of SiON interlayer on the diamond GaN heterostructures studied.pdfNeprístupný/archív2.9 MB1Vydavateľská verzia
    článok

    článok

  3. NázovElectrical and optical properties of thin ZnO shell layers on GaP nanorods grown by pulsed laser deposition
    Autor Bruncko J.
    Spoluautori Kováč Jaroslav
    Michalka M.
    Netrvalová M.
    Kováč Jaroslav Jr.
    Vincze A.
    Novák Jozef 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. Thin Solid Films. Vol. 725 (2021), no. 138634
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2021
    DOI 10.1016/j.tsf.2021.138634
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Electrical and optical properties of thin ZnO shell layers on GaP nanorods.pdfNeprístupný/archív6 MB2Vydavateľská verzia
    článok

    článok

  4. NázovSemi-insulating GaN for vertical structures: role of substrate selection and growth pressure
    Autor Šichman Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Priesol J.
    Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Vincze A.
    Chvála A.
    Marek J.
    Šatka A.
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Akcia APVV 18-0054. vedúci projektu Kuzmík, Ján : 2019-2022
    VEGA 2/0012/18. vedúci projektu Kuzmík, Ján : 2018-2021
    Zdroj.dok. Materials science in semiconductor processing. Vol. 118 (2020), no. 105203
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2020
    DOI 10.1016/j.mssp.2020.105203
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Semi-insulating GaN for vertical structures role of substrate selection and growth.pdfPrístupný1.4 MB8Autorský preprint
    Semi-insulating GaN for vertical.pdfNeprístupný/archív1.2 MB1Vydavateľská verzia
    článok

    článok

  5. NázovInvestigation of GaN P-N junction processed by Mg ion implantation
    Autor Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Egyenes Fridrich SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Pohorelec Ondrej SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Vincze A.
    Muška Miroslav
    Noga Pavol
    Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Akcia VEGA 2/0109/17. vedúci projektu Gregušová, Dagmar : 2017-2020
    Zdroj.dok. ADEPT 2019 : 7th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies. P. 43-46. - Žilina, Slovakia : University of Žilina, 2019 / Jandura D. ; Šušlik Ľ. ; Urbancová P. ; Kováč J., jr. ; ADEPT 2019 7th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies
    KategóriaAFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    Rok vykazovania2019
    článok

    článok

  6. NázovStudy of self-masking nanostructuring of boron doped diamond films by RF plasma etching
    Autor Marton Marián
    Spoluautori Ritomský Mário 1993- SAVINFO - Ústav informatiky SAV
    Michniak P.
    Behúl Miroslav
    Řeháček V.
    Redhammer R.
    Vincze A.
    Papula Martin
    Vojs M.
    Korp. 17th Joint Vacuum Conference. JVC : Olomouc, Czech Republic : September 10-14, 2018
    Zdroj.dok. Vacuum. Vol. 170 (2019), art. no. 108954
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2020
    DOI 10.1016/j.vacuum.2019.108954
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Study of self-masking nanostructuring of boron doped diamond films by RF plasma etching.pdfPrístupný5.2 MB2Vydavateľská verzia
    článok

    článok

  7. NázovDetermination of secondary-ions yield in SIMS depth profiling of Si, Mg, and C ions implanted GaN epitaxial layers
    Autor Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Vincze A.
    Noga Pavol
    Dobrovodský Jozef
    Šagátová A.
    Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Akcia VEGA 2/0012/18. vedúci projektu Kuzmík, Ján : 2018-2021
    Zdroj.dok. ASDAM 2018 : The Twelfth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. P. 141-144. - : IEEE, 2018 / Breza J. ; Donoval D. ; Vavrinský E. ; ASDAM 2018 The Twelfth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems
    KategóriaAFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    Rok vykazovania2018
    DOI 10.1109/ASDAM.2018.8544657
    článok

    článok

  8. NázovStability of AlGaN/GaN heterostructures after hydrogen plasma treatment
    Autor Babchenko Oleg 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Dzuba Jaroslav 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Lalinský Tibor 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Vojs M.
    Vincze A.
    Izsák Tibor
    Vanko Gabriel 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. Applied Surface Science. Vol. 395 (2017), p. 92-97
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2017
    DOI 10.1016/j.apsusc.2016.06.105
    článok

    článok

  9. NázovIr/Al multilayer gates for high temperature operated AlGaN/GaN HEMTs
    Autor Lalinský Tibor 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Vanko Gabriel 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Osvald Jozef 1953 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Babchenko Oleg 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Dzuba Jaroslav 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Veselý M.
    Vančo L.
    Vogrinčič P.
    Vincze A.
    Zdroj.dok. Physica Status Solidi A : applications and materials science. Vol. 214 (2017), art. no. 1700691
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2017
    DOI 10.1002/pssa.201700691
    článok

    článok

  10. NázovSurface analysis of EVOH and its nanocomposite photoageing: Particles effect
    Autor Topolniak I.
    Spoluautori Vincze A.
    Gardette J.-L.
    Haško D.
    Šatka Alexander 1960 SAVMER - Ústav merania SAV
    Therias S.
    Uherek F.
    Zdroj.dok. Vacuum. Vol. 138 (2017), p. 125-133
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2017
    DOI 10.1016/j.vacuum.2017.01.008
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Surface analysis of EVOH and its nanocomposite photoageing Particles effect.pdfNeprístupný/archív2.5 MB1Vydavateľská verzia
    článok

    článok


  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.