Výsledky vyhľadávania

Nájdených záznamov: 9  
Váš dotaz: Autor-kód záznamu = "^sav_un_auth 0143633^"
  1. NázovPolarization-engineered n+GaN/InGaN/AlGaN/GaN normally-off MOS HEMTs
    Autor Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Šichman Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Laurenčíková Agáta 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Seifertová Alena 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Dérer Ján 1948 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Brunner F.
    Würfl H.-J.
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Akcia VEGA 2/0109/17. vedúci projektu Gregušová, Dagmar : 2017-2020
    Zdroj.dok. Physica Status Solidi A : applications and materials science. Vol. 214 (2017), no. 1700407
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2017
    DOI 10.1002/pssa.201700407
    článok

    článok

  2. NázovGate reliability investigation in normally-off p-type-gan cap/AlGaN/GaN HEMTs under forward bias stress
    Autor Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Hilt O.
    Bahat-Treidel E.
    Würfl H.-J.
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. IEEE Electron Device Letters. Vol. 37 (2016), p. 385 - 388
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2016
    DOI 10.1109/LED.2016.2535133
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Gate Reliability Investigation in Normally-Off p.pdfNeprístupný/archív751.9 KB0Vydavateľská verzia
    článok

    článok

  3. NázovThermal management in high-power GaN HEMTs: investigation of selected thermal issues by 3-D simulation approach
    Autor Molnár M.
    Spoluautori Donoval D.
    Chvála A.
    Marek M.
    Príbytný P.
    Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Hilt O.
    Brunner F.
    Würfl H.-J.
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. / Pudiš D. ; Lettrichová I. ; Kováč Jaroslav Jr. Proceedings of the 3th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies : ADEPT 2015 : held in Štrbské Pleso, High Tatras, Slovakia, June 1-4 2015. P. 136-139. - Žilina : Univ. Žilina, 2015
    KategóriaAFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    Rok vykazovania2015
    článok

    článok

  4. NázovInvestigation of gate-diode degradation in normally-off p-GaN/AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors
    Autor Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Hilt O.
    Bahat-Treidel E.
    Würfl H.-J.
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. Applied Physics Letters. Vol. 107 (2015), 193506
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2015
    DOI 10.1063/1.4935223
    článok

    článok

  5. NázovImpact of the buffer structure on trapping characteristics of normally-off p-GaN/AlGaN/GaN HEMTs for power switching applications
    Autor Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Válik Lukáš 1990 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kotara P.
    Zhytnytska R.
    Brunner F.
    Hilt O.
    Bahat-Treidel E.
    Würfl H.-J.
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. ASDAM 2014 : The 10th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. P. 121-124. - : IEEE, 2014 / Breza Juraj ; Donoval Daniel ; Vavrinský E.
    KategóriaAFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
    Rok vykazovania2014
    článok

    článok

  6. NázovSelf-heating in GaN transistors designed for high-power operation
    Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Válik Lukáš 1990 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Molnár M.
    Donoval D.
    Fleury C.
    Pogany D.
    Strasser G.
    Hilt O.
    Brunner F.
    Würfl H.-J.
    Zdroj.dok. IEEE Transactions on Electron Devices. Vol. 61, (2014), p. 3429-3434
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2014
    DOI 10.1109/TED.2014.2350516
    článok

    článok

  7. NázovDegradation of AlGaN/GaN high-electron mobility transistors in the current-controlled off-state breakdown
    Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Jurkovič Michal SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Brunner F.
    Cho E.-M.
    Meneghesso G.
    Würfl H.-J.
    Zdroj.dok. Journal of Applied Physics. Vol. 115 (2014), 164504
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2014
    DOI 10.1063/1.4873301
    článok

    článok

  8. NázovNi/Au-Al2O3 gate stack prepared by low-temperature ALD and lift-off for MOSHEMTs
    Autor Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Jurkovič Michal SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Fedor Ján 1976 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Brunner F.
    Cho E.-M.
    Hilt O.
    Würfl H.-J.
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. Microelectronic Engineering. Vol. 112, (2013), p. 204-207
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2013
    DOI 10.1016/j.mee.2013.03.120
    článok

    článok

  9. NázovTransient self-heating effects in multifinger AlGaN/GaN HEMTs with metal airbridges
    Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Bychikhin S.
    Lossy R.
    Würfl H.-J.
    di Forte Poisson M.A.
    Teyssier J.-P.
    Gaquiere C.
    Pogany D.
    Zdroj.dok. . Vol. 51, (2007), p. 969-974 Solid-State Electronics
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2007
    článok

    článok



  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.