Výsledky vyhľadávania
Názov Controlling surface/interface states in GaN-based transistors: Surface model, insulated gate, and surface passivation Autor Asubar J.T. Spoluautori Yatabe Z. Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hashizume T. Zdroj.dok. Journal of Applied Physics. Vol. 129 (2021), no. 121102 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2021 DOI 10.1063/5.0039564 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Controlling surface interface states in GaNbased transistors.pdf Prístupný 9.7 MB 6 Vydavateľská verzia 
článok
Názov State of the art on gate insulation and surface passivation for GaN-based power HEMTs Autor Hashizume T. Spoluautori Nishiguchi K. Kaneki S. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Yatabe Z. Zdroj.dok. Materials science in semiconductor processing. Vol. 78 (2018), p. 85-95 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2018 DOI 10.1016/j.mssp.2017.09.028 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence State of the art on gate insulation and surface passivation for GaN-based power HEMTs.pdf Prístupný 1.6 MB 1 Vydavateľská verzia článok
Názov Influence of oxygen-plasma treatment on AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors with HfO2 by atomic layer deposition: leakage current and density of states reduction Autor Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Novák Jozef 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Matys M. Yatabe Z. Kordoš Peter Hashizume T. Zdroj.dok. Semiconductor Science and Technology. Vol. 32 (2017), no. 045018 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2017 DOI 10.1088/1361-6641/aa5fcb Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Influence of oxygen-plasma treatment on AlGaNGaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors with HfO2.pdf Neprístupný/archív 1.5 MB 1 Vydavateľská verzia článok
Názov Characterization of capture cross sections of interface states in dielectric/III-nitride heterojunction structures Autor Matys M. Spoluautori Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Adamowicz J.B. Yatabe Z. Hashizume T. Zdroj.dok. Journal of Applied Physics. Vol. 119 (2016), art. no. 205304 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2016 DOI 10.1063/1.4952708 URL URL link Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Characterization of capture cross sections of interface states in dielectricIII-nitride heterojunction structures.pdf Prístupný 1.9 MB 1 Vydavateľská verzia článok
Názov On the origin of interface states at oxide/III-nitride heterojunction interfaces Autor Matys M. Spoluautori Adamowicz J.B. Domanowska A. Michalewicz A. Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Akazawa M. Yatabe Z. Hashizume T. Zdroj.dok. Journal of Applied Physics. Vol. 120 (2016), no. 225305 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2016 DOI 10.1063/1.4971409 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence On the origin of interface states at oxideIII-nitride heterojunction interfaces.pdf Neprístupný/archív 3.1 MB 1 Vydavateľská verzia článok