Výsledky vyhľadávania
Názov Improvements of high performance 2-nm-thin InAlN/AlN barrier devices by interface engineering Autor Ostermaier C. Spoluautori Pozzovivo G. Carlin J.-F. Basnar B. Schrenk W. Ahn S.-I. Detz H. Klang P. Andrews A.M. Douvry Y. Gaquiere C. De Jaeger J.-C. Toth L. Pécz B. Gonschorek M. Feltin E. Grandjean N. Strasser G. Pogany D. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. AIP Conference Proceedings. Vol. 1399, (2011), p. 905-906 Kategória ADEB - Vedecké práce v ostatných zahraničných časopisoch neimpaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2012 DOI 10.1063/1.3666669 Názov Role of the gate-to-drain distance in the performance of the normally-off InAlN/GaN HEMTs Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Ostermaier C. Pozzovivo G. Basnar B. Schrenk W. Carlin J.-F. Gonschorek M. Feltin E. Grandjean N. Douvry Y. Gaquire Ch. De Jaeger J.-C. Strasser G. Pogany D. Gornik E. Zdroj.dok. ASDAM 2010 : proceedings of the 8th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. P. 163-166. - Piscataway : IEEE, 2010 / Breza J. ; Donoval D. ; Vavrinský E. Kategória AEC - Vedecké práce v zahraničných recenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách Kategória (od 2022) V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Typ výstupu príspevok Rok vykazovania 2010 Názov Proposal and performance analysis of normally-off n++ GaN/InAlN/AlN/GaN HEMTs with 1 nm thick InAlN barrier Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Ostermaier C. Pozzovivo G. Basnar B. Schrenk W. Carlin J.-F. Gonschorek M. Feltin E. Grandjean N. Douvry Y. Gaquiere C. De Jaeger J.-C. Čičo Karol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Škriniarová Jaroslava Kováč Ján Strasser G. Pogany D. Gornik E. Zdroj.dok. . Vol. 57 (2010), p. 2144-2154 IEEE Transactions on Electron Devices Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2010 DOI 10.1109/TED.2010.2055292 Názov Metal-related gate sinking due to interfacial oxygen layer in Ir/InAlN high electron mobility transistors Autor Ostermaier C. Spoluautori Pozzovivo G. Basnar B. Schrenk W. Schmid M. Tóth L. Pécz B. Carlin J.-F. Gonschorek M. Grandjean N. Strasser G. Pogany D. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Applied Physics Letters. Vol. 96, (2010), 263515 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2010 DOI 10.1063/1.3458700 Názov Characterization of plasma-induced damage of selectively recessed GaN/InAlN/AlN/GaN heterostructures using SiCl4 and SF6 Autor Ostermaier C. Spoluautori Pozzovivo G. Basnar B. Schrenk W. Carlin J.-F. Gonschorek M. Grandjean N. Vincze A. Tóth L. Pécz B. Strasser G. Pogany D. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Japanese Journal of Applied Physics. Vol. 49, (2010), 116506 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2010 DOI 10.1143/JJAP.49.116506 Názov Ultrathin InAlN/AlN barrier HEMT with high performance in normally off operation Autor Ostermaier C. Spoluautori Pozzovivo G. Carlin J.-F. Basnar B. Schrenk W. Douvry Y. Gaquiere C. Čičo Karol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gonschorek M. Grandjean N. Strasser G. Pogany D. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. . Vol. 30 (2009), p. 1030-1032 IEEE Electron Devices Letters Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2009 Názov Influence of GaN capping on performance of InAlN/AlN/GaN MOS-HEMT with Al2O3 gate insulation grown by CVD Autor Pozzovivo G. Spoluautori Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Golka S. Čičo Karol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Carlin J.-F. Gonschorek M. Grandjean N. Schrenk W. Strasser G. Pogany D. Zdroj.dok. Physica Status Solidi (C) : current topics in solid state physics. Vol. 5, (2008), p. 1956-1958 Kategória ADEB - Vedecké práce v ostatných zahraničných časopisoch neimpaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2008 Názov Gate insulation and drain current saturation mechanism in InAlN/GaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistors Autor Pozzovivo G. Spoluautori Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Golka S. Schrenk W. Strasser G. Pogany D. Čičo Karol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Carlin J.-F. Gonschorek M. Feltin E. Grandjean N. Zdroj.dok. . Vol. 91 (2007), no. 043509 Applied Physics Letters Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2007 Mix proportion and experimental study of heavyweight self-compacting concrete based on magnetite and bariteAutorPalou Martin T. 1962 SAVSTAV - Ústav stavebníctva a architektúry SAVNázov Optimization of the plasma etching in fabrication of InAlN/AlN/GaN HEMTs Autor Pozzovivo G. Spoluautori Golka S. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Schrenk W. Carlin J.-F. Gonschorek M. Grandjean N. di Forte Poisson M.A. Delage S.L. Strasser G. Pogany D. Zdroj.dok. / Menghesso G. . P. 245-247 Proceedings of the 31st Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits. - Venice, 2007 Kategória AEC - Vedecké práce v zahraničných recenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách Kategória (od 2022) V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Typ výstupu príspevok Rok vykazovania 2007 Názov Technology and performance of Al2O3/InAlN/AlN/GaN MOS HEMTs Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Pozzovivo G. Čičo Karol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Golka S. Schrenk W. Carlin J.-F. Gonschorek M. Grandjean N. Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Strasser G. Pogany D. Zdroj.dok. / Menghesso G. . P. 359-362 Proceedings of the 31st Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits. - Venice, 2007 Kategória AEC - Vedecké práce v zahraničných recenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách Kategória (od 2022) V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Typ výstupu príspevok Rok vykazovania 2007