Výsledky vyhľadávania
Názov Electrical properties of thermally oxidized AlInN/AlN/GaN-based metal oxide semiconductor hetero field effect transistors Autor Eickelkamp M. Spoluautori Weingarten M. Khoshroo L.R. Ketteniss N. Behmenburg H. Heuken M. Donoval D. Chvála A. Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kalisch H. Vescan A. Zdroj.dok. Journal of Applied Physics. Vol. 110, (2011), 084501 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2011 DOI 10.1063/1.3647589 
článok
Názov Off-state stress investigation of InAlN/GaN HFETs with different AlN buffer layer Autor Florovič M. Spoluautori Kováč Ján Behmenburg H. Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Škriniarová Jaroslava Donoval D. Zdroj.dok. ASDAM 2010 : proceedings of the 8th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. P. 97-100. - Piscataway : IEEE, 2010 / Breza J. ; Donoval D. ; Vavrinský E. Kategória AEC - Vedecké práce v zahraničných recenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách Kategória (od 2022) V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Typ výstupu príspevok Rok vykazovania 2010 článok