Výsledky vyhľadávania

Nájdených záznamov: 4  
Váš dotaz: Autor-kód záznamu + druh.dok = "^sav_un_auth 0164782 xcla^"
  1. NázovInfluence of processing and annealing steps on electrical properties of InAlN/GaN high electron mobility transistor with Al2O3 gate insulation and passivation
    Autor Čičo Karol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Jurkovič Michal SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Alexewicz A.
    di Forte Poisson M.A.
    Pogany D.
    Strasser G.
    Delage S.
    Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zdroj.dok. Solid-State Electronics. Vol. 67 (2012), p. 74-78
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2012
    DOI 10.1016/j.sse.2011.09.002
    článok

    článok

  2. NázovBuffer-related degradation aspects of single and double-heterostructure quantum well InAlN/GaN high-electron-mobility transistors
    Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Vitanov S.
    Dua C.
    Carlin J.-F.
    Ostermaier C.
    Alexewicz A.
    Strasser G.
    Pogany D.
    Gornik E.
    Grandjean N.
    Delage S.
    Palankovski V.
    Zdroj.dok. Japanese Journal of Applied Physics. Vol. 51, (2012), art. no. 054102
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2012
    DOI 10.1143/JJAP.51.054102
    článok

    článok

  3. NázovGate leakage current on GaN-based mesa- and planar-type heterostructure field-effect transistors
    Autor Kováč Jaroslav
    Spoluautori Šatka A.
    Chvála A.
    Donoval D.
    Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Delage S.
    Zdroj.dok. Microelectronics reliability. Vol. 52 (2012), p. 1323-1327
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2012
    DOI 10.1016/j.microrel.2012.02.003
    článok

    článok

  4. NázovInAlN/GaN heterostructures for microwave power and beyond
    Autor Kohn E.
    Spoluautori Alomari M.
    Denisenko A.
    Dipalo M.
    Maier D.
    Medjoub F.
    Pietzka C.
    Delage S.
    di Forte Poisson M.A.
    Morvan E.
    Sarazin N.
    Jacquet J.-C.
    Dua C.
    Carlin J.-F.
    Grandjean N.
    Py M.A.
    Gonschorek M.
    Kuzmík Ján 1960
    Pogany D.
    Pozzovivo G.
    Ostermaier C.
    Toth L.
    Pécz B.
    De Jaeger J.-C.
    Gaquiere C.
    Čičo Karol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Georgakilas A.
    Iliopoulos E.
    Konstantinidis G.
    Giessen C.
    Heuken M.
    Schineller B.
    Zdroj.dok. . P. 173-176 2009 IEEE International Electron Devices Meeting : proceedings of a meeting held 7-9 December 2009, Baltimore, Maryland, USA. - : IEEE, 2010
    KategóriaAEE - Vedecké práce v zahraničných nerecenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách
    Kategória (od 2022)O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníka
    Typ výstupupríspevok
    Rok vykazovania2010
    článok

    článok



  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.