Výsledky vyhľadávania
Názov An origin behind Rashba spin within inverted doped sGe heterostructures Autor Hassan A.H.A. Spoluautori Morris R.J.H. Mironov O.A. Gabáni Slavomír 1974- SAVEXFYZ - Ústav experimentálnej fyziky SAV Dobbie A. Leadley D.R. Zdroj.dok. Applied Physics Letters. Vol. 110, no. 4 (2017), art. no. 042405 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2017 DOI 10.1063/1.4974254 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence An origin behind Rashba spin within inverted doped sGe heterostructures.pdf Neprístupný/archív 805.2 KB 1 Autorský preprint An origin behind Rashba spin within inverted doped sGe heterostructures.pdf Neprístupný/archív 1.5 MB 2 Vydavateľská verzia 
článok
Názov New RP-CVD grown ultra-high performance selectively B-doped pure-Ge 20 nm QWs on (100)Si as basis material for post-Si CMOS technology Autor Mironov O.A. Spoluautori Hassan A.H.A. Uhlarz M. Kiatgamolchai S. Dobbie A. Morris R.J.H. Halpin J.E. Rhead S.D. Allred P. Myronov M. Gabáni Slavomír 1974- SAVEXFYZ - Ústav experimentálnej fyziky SAV Berkutov I.B. Leadley D.R. Zdroj.dok. Physica status solidi C. Current topics in solid state physics. Vol. 11, no. 1 (2014), p. 61-64 Kategória ADMB - Vedecké práce v zahraničných neimpaktovaných časopisoch registrovaných vo WOS Core Collection alebo SCOPUS Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2014 DOI 10.1002/pssc.201300164 článok
Názov Ultra high hole mobilities in a pure strained Ge quantum well Autor Mironov O.A. Spoluautori Hassan A.H.A. Morris R.J.H. Dobbie A. Uhlarz M. Chrastina D. Hague J.P. Kiatgamolchai S. Beanland R. Gabáni Slavomír 1974- SAVEXFYZ - Ústav experimentálnej fyziky SAV Berkutov I.B. Helm M. Drachenko O. Myronov M. Leadley D.R. Zdroj.dok. Thin Solid Films. Vol. 557, (2014), p. 329-333 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2014 DOI 10.1016/j.tsf.2013.10.118 článok
Názov Structural and Electrical Characterization of SiGe Heterostructures Containing a Pure Ge Strained Quantum Well Autor Hassan A.H.A. Spoluautori Mironov O.A. Dobbie A. Morris R.J.H. Halpin J.E. Shah V.A. Myronov M. Leadley D.R. Feher Alexander Čižmár E. Gabáni Slavomír 1974- SAVEXFYZ - Ústav experimentálnej fyziky SAV Andrievskii V.V. Berkutov I.B. Zdroj.dok. ELNANO 2013 : 33rd International Scientific Conference Electronics and Nanotechnology, Kiev, Ukraine, 16 - 19 April 2013. p. 51-55. - [S.l. : s.n.], 2013 ; ELNANO 2013 International Scientific Conference Electronics and Nanotechnology Kategória AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách Rok vykazovania 2013 DOI 10.1109/ELNANO.2013.6552021 článok
Názov Pure Ge Quantum Well with High Hole Mobility Autor Hassan A.H.A. Spoluautori Mironov O.A. Feher Alexander Čižmár E. Gabáni Slavomír 1974- SAVEXFYZ - Ústav experimentálnej fyziky SAV Morris R.J.H. Dobbie A. Shah V.A. Myronov M. Berkutov I.B. Andrievskii V.V. Leadley D.R. Zdroj.dok. ULIS 2013 : 14th International Conference on Ultimate Integration on Silicon, 19 - 21 March 2013, Coventry, United Kingdom. p. 117-120. - [S.l. : s.n.] ; ULIS 2013 International Conference on Ultimate Integration on Silicon Kategória AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách Rok vykazovania 2013 DOI 10.1109/ULIS.2013.6523527 článok