Výsledky vyhľadávania
Názov 3D resistive RAM cell design for high-density storage class memory - a review Autor Hudec Boris Spoluautori Hsu C.-W. Wang I-T. Lai W.-L. Chang C.-C. Wang T. Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Ho C.-H. Lin C.-H. Hou T.-H. Zdroj.dok. Science China Information Sciences. Vol. 59 (2016), art. no. 061403 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2016 DOI 10.1007/s11432-016-5566-0 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence 3D resistive RAM cell design for high-density storage class memory - a review.pdf Neprístupný/archív 3.8 MB 2 Vydavateľská verzia 
článok
Názov Interface engineered HfO2-based 3D vertical ReRAM Autor Hudec Boris Spoluautori Wang I-T. Lai W.-L. Chang C.-C. Jančovič Peter 1990 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Mičušík Matej 1977- SAVPOLYM - Ústav polymérov SAV Omastová Mária 1962- SAVPOLYM - Ústav polymérov SAV Hou T.-H. Zdroj.dok. Journal of Physics D: Applied Physics. Vol. 49 (2016), no. 215102 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2016 DOI 10.1088/0022-3727/49/21/215102 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Interface engineered HfO2-based 3D vertical ReRAM.pdf Neprístupný/archív 2.2 MB 1 Vydavateľská verzia článok