Výsledky vyhľadávania
Názov Vertical GaN transistor with semi-insulating channel Autor Šichman Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hudec Boris SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hashizume T. Chvála A. Šatka A. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Physica Status Solidi A : applications and materials science : Special Issue: Nitride Semiconductors. Vol. 220 (2023), no. SI2200776 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok z podujatia Rok vykazovania 2023 DOI 10.1002/pssa.202200776 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Vertical GaN Transistor with Semi-Insulating Channe.pdf Neprístupný/archív 1 MB 0 Vydavateľská verzia 
článok
Názov Interface states analysis of Al2O3/GaN MOS capacitors with semi-insulating C-doped GaN Autor Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Šichman Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hudec Boris SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. ASDAM 2022 : Conference Proceedings. P. 15-16. - : IEEE, 2022 / Marek Juraj ; Donoval D. ; Vavrinský E. ; International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems Kategória AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách Kategória (od 2022) V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Typ výstupu príspevok z podujatia Rok vykazovania 2022 článok
Názov Analysis and modeling of vertical current conduction and breakdown mechanisms in semi-insulating GaN grown on GaN: role of deep levels Autor Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Chvála A. Šichman Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Priesol J. Šatka A. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. IEEE Transactions on Electron Devices. Vol. 68 (2021), no. 2365 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2021 DOI 10.1109/TED.2021.3065893 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Analysis and Modeling of Vertical Current.pdf Neprístupný/archív 1.3 MB 1 Vydavateľská verzia článok
Názov Polarization engineering in GaN-based Autor Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Pohorelec Ondrej SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Laurenčíková Agáta 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Šichman Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. 2021 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai : IMFEDK2021, November 18-19, 2021. P. 1-4. - : IEEE, 2021 Kategória AFA - Publikované pozvané príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách Rok vykazovania 2021 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Polarization engineering in GaN-based.pdf Neprístupný/archív 1.8 MB 2 Vydavateľská verzia článok
Názov Optimalization of SiCl4 – based reactive ion etching and nickel hard mask for GaN on GaN vertical structures Autor Šichman Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Proceedings of ADEPT 2021 : 9th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies, Podbanské, High Tatras, Slovakia. P. 163-166. - Žilina : Univ. Zilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2021 / Jandura D. ; Maniaková P. ; Lettrichová I. ; Kováč Jaroslav Jr. Kategória AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách Rok vykazovania 2021 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Optimalization of SiCl4 – based reactive ion etching and nickel hard mask for GaN on GaN vertical structures.pdf Prístupný 656.5 KB 2 Vydavateľská verzia článok
Názov Semi-insulating GaN for vertical structures: role of substrate selection and growth pressure Autor Šichman Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Priesol J. Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Vincze A. Chvála A. Marek J. Šatka A. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Akcia APVV 18-0054. vedúci projektu Kuzmík, Ján : 2019-2022 VEGA 2/0012/18. vedúci projektu Kuzmík, Ján : 2018-2021 Zdroj.dok. Materials science in semiconductor processing. Vol. 118 (2020), no. 105203 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2020 DOI 10.1016/j.mssp.2020.105203 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Semi-insulating GaN for vertical structures role of substrate selection and growth.pdf Prístupný 1.4 MB 8 Autorský preprint Semi-insulating GaN for vertical.pdf Neprístupný/archív 1.2 MB 1 Vydavateľská verzia článok
Názov Polarization-engineered n+GaN/InGaN/AlGaN/GaN normally-off MOS HEMTs Autor Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Šichman Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Laurenčíková Agáta 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Seifertová Alena 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Dérer Ján 1948 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Brunner F. Würfl H.-J. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Akcia VEGA 2/0109/17. vedúci projektu Gregušová, Dagmar : 2017-2020 Zdroj.dok. Physica Status Solidi A : applications and materials science. Vol. 214 (2017), no. 1700407 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2017 DOI 10.1002/pssa.201700407 článok