Výsledky vyhľadávania
Názov State of the art on gate insulation and surface passivation for GaN-based power HEMTs Autor Hashizume T. Spoluautori Nishiguchi K. Kaneki S. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Yatabe Z. Zdroj.dok. Materials science in semiconductor processing. Vol. 78 (2018), p. 85-95 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2018 DOI 10.1016/j.mssp.2017.09.028 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence State of the art on gate insulation and surface passivation for GaN-based power HEMTs.pdf Prístupný 1.6 MB 1 Vydavateľská verzia 
článok
Názov Enhancement of channel electric field in AlGaN/GaN multi-nanochannel high electron mobility transistors Autor Matys M. Spoluautori Nishiguchi K. Adamowicz J.B. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hashizume T. Zdroj.dok. Journal of Applied Physics. Vol. 124 (2018), no. 224502 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2018 DOI 10.1063/1.5056194 článok