Výsledky vyhľadávania
Názov Investigation of interfaces and threshold voltage instabilities in normally-off MOS-gated InGaN/AlGaN/GaN HEMTs Autor Pohorelec Ondrej SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Seifertová Alena 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Pécz B. Tóth L. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Akcia VEGA 2/0109/17. vedúci projektu Gregušová, Dagmar : 2017-2020 VEGA 2/0012/18. vedúci projektu Kuzmík, Ján : 2018-2021 Zdroj.dok. Applied Surface Science. Vol. 528 (2020), no. 146824 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2020 DOI 10.1016/j.apsusc.2020.146824 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Investigation of Interfaces and Threshold Voltage Instabilities_submitt.pdf Prístupný 1 MB 6 Autorský preprint Investigation of interfaces and threshold voltage.pdf Neprístupný/archív 1.2 MB 1 Vydavateľská verzia 
článok
Názov Current understanding of bias-temperature instabilities in GaN MIS transistors for power switching applications Autor Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Akcia VEGA 2/0109/17. vedúci projektu Gregušová, Dagmar : 2017-2020 Zdroj.dok. Crystals. Vol. 10 (2020), no. 1153 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2020 DOI 10.3390/cryst10121153 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Current understanding of bias-temperature instabilities in GaN MIS transistors for power switching applications.pdf Prístupný 4.5 MB 0 Vydavateľská verzia článok
Názov Investigation of threshold voltage instabilities in MOS-gated InGaN/AlGaN/GaN HEMTs Autor Pohorelec Ondrej SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Akcia VEGA 2/0109/17. vedúci projektu Gregušová, Dagmar : 2017-2020 Zdroj.dok. ADEPT 2019 : 7th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies. P. 123-126. - Žilina, Slovakia : University of Žilina, 2019 / Jandura D. ; Šušlik Ľ. ; Urbancová P. ; Kováč J., jr. ; ADEPT 2019 7th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies Kategória AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách Rok vykazovania 2019 článok
Názov Impact of oxide/barrier charge on threshold voltage instabilities in AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructures Autor Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Drobný J. SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hashizume T. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Akcia VEGA 2/0109/17. vedúci projektu Gregušová, Dagmar : 2017-2020 Zdroj.dok. Materials science in semiconductor processing. Vol. 91 (2019), p. 356-361 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2019 DOI 10.1016/j.mssp.2018.12.012 článok
Názov Investigation of GaN P-N junction processed by Mg ion implantation Autor Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Egyenes Fridrich SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Pohorelec Ondrej SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Vincze A. Muška Miroslav Noga Pavol Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Akcia VEGA 2/0109/17. vedúci projektu Gregušová, Dagmar : 2017-2020 Zdroj.dok. ADEPT 2019 : 7th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies. P. 43-46. - Žilina, Slovakia : University of Žilina, 2019 / Jandura D. ; Šušlik Ľ. ; Urbancová P. ; Kováč J., jr. ; ADEPT 2019 7th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies Kategória AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách Rok vykazovania 2019 článok
Názov Technology and application of in-situ AlOx layers on III-V semiconductors Autor Kúdela Róbert 1952 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Šoltýs Ján 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kučera Michal 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Mičušík Matej 1977- SAVPOLYM - Ústav polymérov SAV Pohorelec Ondrej SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregor M. Brytavskyi E. Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Akcia VEGA 2/0109/17. vedúci projektu Gregušová, Dagmar : 2017-2020 Zdroj.dok. Applied Surface Science. Vol. 461 (2018), p. 33-38 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2018 DOI 10.1016/j.apsusc.2018.06.229 článok
Názov Polarization-engineered n+GaN/InGaN/AlGaN/GaN normally-off MOS HEMTs Autor Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Šichman Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Laurenčíková Agáta 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Seifertová Alena 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Dérer Ján 1948 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Brunner F. Würfl H.-J. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Akcia VEGA 2/0109/17. vedúci projektu Gregušová, Dagmar : 2017-2020 Zdroj.dok. Physica Status Solidi A : applications and materials science. Vol. 214 (2017), no. 1700407 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2017 DOI 10.1002/pssa.201700407 článok
Názov Hafnium oxide as a promising material for gate isolation in GaN-based MOS HFETs Autor Brytavskyi I.V. Spoluautori Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Seifertová Alena 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Akcia VEGA 2/0104/17. vedúci projektu Novák, Jozef : 2017-2020 VEGA 2/0109/17. vedúci projektu Gregušová, Dagmar : 2017-2020 Zdroj.dok. ADEPT 2017 : proceedings of the 5th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies, Podbanské, High Tatras, Slovakia, June 19-22, 2017. P. 207-210. - Žilina : University of Žilina, 2017 / Lettrichová I. ; Šušlik Ľ. ; Kováč Jaroslav Jr. Kategória AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách Rok vykazovania 2017 článok