Výsledky vyhľadávania

Nájdených záznamov: 4  
Váš dotaz: Autor-kód záznamu + druh.dok = "^sav_un_auth 0230153 xcla^"
  1. NázovHeteroepitaxial growth of Ga2O3 on 4H-SiC by liquid-injection MOCVD for improved thermal management of Ga2O3 power devices : Special Collection: Gallium Oxide Materials and Devices
    Autor Hrubišák Fedor SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zheng X
    Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Mičušík Matej 1977- SAVPOLYM - Ústav polymérov SAV
    Nádaždy Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Egyenes Fridrich SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Keshtkar Javad SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kováčová Eva 1966 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Pomeroy J.W.
    Kuball M.
    Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Akcia APVV 20-0220. vedúci projetu: F. Gucmann : 2021-2025
    VEGA 2/0100/21. vedúci projektu Ťapajna, Milan : 2021 - 2024
    DoktoGrant APP0424. vedúci projetu: Hrubišák, Fedor : 2023
    ITMS2014+: 313021T081. Vybudovanie Centra pre využitie pokročilých materiálov Slovenskej akadémie vied : 2017-2023 : Úrad SAV : BMC SAV
    Zdroj.dok. . Vol. 41 (2023), no. 042708 Journal of Vacuum Science and Technology A
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2023
    DOI 10.1116/6.0002649
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Heteroepitaxial growth of Ga2O3 on 4H-SiC by.pdfPrístupný5.2 MB3Vydavateľská verzia
    článok

    článok

  2. NázovMaterial properties of MOCVD-grown β- and κ-Ga2O3 thin films on 4H-SiC substrates
    Autor Hrubišák Fedor SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Zheng X
    Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Mičušík Matej 1977- SAVPOLYM - Ústav polymérov SAV
    Nádaždy Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Egyenes Fridrich SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Keshtkar Javad SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Kováčová Eva 1966 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Pomeroy J.W.
    Kuball M.
    Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Akcia APVV 20-0220. vedúci projetu: F. Gucmann : 2021-2025
    VEGA 2/0100/21. vedúci projektu Ťapajna, Milan : 2021 - 2024
    DoktoGrant APP0424. vedúci projetu: Hrubišák, Fedor : 2023
    Zdroj.dok. Proceedings of ADEPT 2023 : 11th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies, held in Podbanské, High Tatras, Slovakia, June 12th – 15th, 2023. P. 87-90. - Žilina : University of Zilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2023 / Jandura D. ; Lettrichová I. ; Kováč J., jr.
    KategóriaAFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    Kategória (od 2022)V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    Typ výstupupríspevok z podujatia
    Rok vykazovania2023
    článok

    článok

  3. NázovScanning thermal microscopy for accurate nanoscale device thermography
    Autor Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Pomeroy J.W.
    Kuball M.
    Zdroj.dok. Nano Today. Vol. 39 (2021), no. 101206
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2021
    DOI 10.1016/j.nantod.2021.101206
    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Scanning thermal microscopy for accurate nanoscale_supplem.pdfPrístupný596 KB1Autorský preprint
    Scanning thermal microscopy for accurate nanoscale.pdfPrístupný1.3 MB1Autorský preprint
    Scanning thermal microscopy for accurate nanoscale device.pdfNeprístupný/archív107 KB3Vydavateľská verzia
    článok

    článok

  4. NázovAnnealing effect of surface-activated bonded diamond/Si interface
    Autor Liang J.
    Spoluautori Zhou Yi
    Masuya S.
    Gucmann Filip 1987
    Singh M.
    Pomeroy J.W.
    Kim Sora
    Kuball M.
    Kasu M.
    Shigekawa N.
    Zdroj.dok. Diamond and Related Materials. Vol. 93 (2019), p. 187-192
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2019
    DOI 10.1016/j.diamond.2019.02.015
    článok

    článok



  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.