Výsledky vyhľadávania
Názov Thermal stability of rhombohedral α- and monoclinic β-Ga2O3 grown on sapphire by liquid-injection MOCVD Autor Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Nádaždy Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Priesol J. Egyenes Fridrich SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Šatka A. Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Materials science in semiconductor processing. Vol. 156 (2023), no. 107289 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2023 DOI 10.1016/j.mssp.2022.107289 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Thermal stability of rhombohedral α- and monoclinic β-Ga2O3 grown on sapphire by liquid-injection MOCVD.pdf Neprístupný/archív 9.9 MB 0 Vydavateľská verzia 
článok
Názov Growth of N-polar In-rich InAlN by metal organic chemical vapor deposition on on- and off-axis sapphire Autor Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Blaho Michal 1983 Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kučera Michal 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Nádaždy Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Materials science in semiconductor processing. Vol. 156 (2023), no. 107290 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2023 DOI 10.1016/j.mssp.2022.107290 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Growth of N-polar In-rich InAlN by metal organic chemical vapor deposition on on- and off-axis sapphire.pdf Neprístupný/archív 3.9 MB 0 Vydavateľská verzia článok
Názov Electron transport properties in thin InN layers grown on InAlN Autor Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Materials science in semiconductor processing. Vol. 155 (2023), no. 107250 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2023 DOI 10.1016/j.mssp.2022.107250 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Electron transport properties in thin InN layers grown on InAlN.pdf Neprístupný/archív 2 MB 0 Vydavateľská verzia článok
Názov Temperature dependence of electrical behaviour of inhomogeneous Ni/Au/4H–SiC Schottky diodes Autor Osvald Jozef 1953 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Hrubčín Ladislav 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zaťko Bohumír 1973 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Materials science in semiconductor processing. Vol. 140 (2022), no. 106413 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2022 DOI 10.1016/j.mssp.2021.106413 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Temperature dependence of electrical behaviour of inhomogeneous NiAu.pdf Neprístupný/archív 2.4 MB 2 Vydavateľská verzia článok
Názov Charge transport in SiCN/Si heterostructures Autor Sukach A.V. Spoluautori Tetyorkin V.V. Тkachuk А.І. Kozak Andrii SAVCEMEA - Centrum pre využitie pokročilých materiálov SAV Porada O.K. Ivashchenko V.I. Zdroj.dok. Materials science in semiconductor processing. Vol. 143 (2022), art. no. 106515 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2022 DOI 10.1016/j.mssp.2022.106515 URL URL link Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Charge transport in SiCNSi heterostructures.pdf Neprístupný/archív 3.1 MB 1 Vydavateľská verzia článok
Názov Semi-insulating GaN for vertical structures: role of substrate selection and growth pressure Autor Šichman Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Priesol J. Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Vincze A. Chvála A. Marek J. Šatka A. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Akcia APVV 18-0054. vedúci projektu Kuzmík, Ján : 2019-2022 VEGA 2/0012/18. vedúci projektu Kuzmík, Ján : 2018-2021 Zdroj.dok. Materials science in semiconductor processing. Vol. 118 (2020), no. 105203 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2020 DOI 10.1016/j.mssp.2020.105203 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Semi-insulating GaN for vertical structures role of substrate selection and growth.pdf Prístupný 1.4 MB 8 Autorský preprint Semi-insulating GaN for vertical.pdf Neprístupný/archív 1.2 MB 1 Vydavateľská verzia článok
Názov Morphological, structural and optical properties of Mg-doped ZnO nanocrystals synthesized using polyol process Autor Dobrozhan Oleksandr Spoluautori Diachenko Oleksii Kolesnik Maksym Stepanenko Aleksandr Vasiľjevič Vorobiov Serhii Baláž Peter 1947 SAVGEOTE - Ústav geotechniky SAV Plotnikov Sergei Opanasyuk Anatoliy Akcia APVV 18-0357. Chalkogenidy ako perspektívne ekologicky a ekonomicky prijateľné nanomateriály pre energetiku a medicínu : 1.7.2019 - 30.6.2023 Zdroj.dok. Materials science in semiconductor processing. Vol. 102 (2019), p. 104595 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2019 DOI 10.1016/j.mssp.2019.104595 článok
Názov Impact of oxide/barrier charge on threshold voltage instabilities in AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructures Autor Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Drobný J. SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hashizume T. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Akcia VEGA 2/0109/17. vedúci projektu Gregušová, Dagmar : 2017-2020 Zdroj.dok. Materials science in semiconductor processing. Vol. 91 (2019), p. 356-361 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2019 DOI 10.1016/j.mssp.2018.12.012 článok
Názov State of the art on gate insulation and surface passivation for GaN-based power HEMTs Autor Hashizume T. Spoluautori Nishiguchi K. Kaneki S. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Yatabe Z. Zdroj.dok. Materials science in semiconductor processing. Vol. 78 (2018), p. 85-95 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2018 DOI 10.1016/j.mssp.2017.09.028 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence State of the art on gate insulation and surface passivation for GaN-based power HEMTs.pdf Prístupný 1.6 MB 1 Vydavateľská verzia článok
Názov Low- and high-frequency capacitance of aluminum gallium nitride/gallium nitride heterostructures with interface traps Autor Osvald Jozef 1953 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Materials science in semiconductor processing. Vol. 31, (2015), p. 525-529 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2015 DOI 10.1016/j.mssp.2014.11.052 článok