Výsledky vyhľadávania
Názov InGaN/(GaN)/AlGaN/GaN normally-off metal-oxide-semiconductor high-electron mobility transistors with etched access region Autor Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Tóth L. Pohorelec Ondrej SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Cora Ildikó Fogarassy Zsolt Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Seifertová Alena 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Laurenčíková Agáta 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Oyobiki T. Pécz B. Hashizume T. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Akcia VEGA 2/0012/18. vedúci projektu Kuzmík, Ján : 2018-2021 Zdroj.dok. Japanese Journal of Applied Physics. Vol. 58 (2019), no. SCCCD21 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2019 DOI 10.7567/1347-4065/ab06b8 URL URL link Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence InGaN (GaN) AlGaN GaN normally-off metal-oxide-semiconductor high-electron mobility transistors with etched access region.pdf Neprístupný/archív 855.4 KB 0 Vydavateľská verzia 
článok
Názov Zr2/InAlN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors with InAlN barrier of different compositions Autor Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Jurkovič Michal SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Carlin J.-F. Grandjean N. Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Japanese Journal of Applied Physics. Vol. 52, (2013), 08JN07 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2013 článok
Názov Control of threshold voltage in GaN based metal–oxide–semiconductor high-electron mobility transistors towards the normally-off operation Autor Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Japanese Journal of Applied Physics. Vol. 52, (2013), 08JN08 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2013 DOI 10.7567/JJAP.52.08JN08 článok
Názov Surface states influence on capacitance properties of dielectric/AlGaN/GaN heterostructures Autor Osvald Jozef 1953 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Japanese Journal of Applied Physics. Vol. 52, (2013), 08JN09 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2013 DOI 10.7567/JJAP.52.08JN09 článok
Názov Buffer-related degradation aspects of single and double-heterostructure quantum well InAlN/GaN high-electron-mobility transistors Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Vitanov S. Dua C. Carlin J.-F. Ostermaier C. Alexewicz A. Strasser G. Pogany D. Gornik E. Grandjean N. Delage S. Palankovski V. Zdroj.dok. Japanese Journal of Applied Physics. Vol. 51, (2012), art. no. 054102 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2012 DOI 10.1143/JJAP.51.054102 článok
Názov Effects of gold nanoparticles on pentacene organic field-effect transistors Autor Lee K. Spoluautori Weis Martin Jr. SAVFYZIK - Fyzikálny ústav SAV Ou-Yang W. Taguchi D. Manaka T. Iwamoto M. Zdroj.dok. Japanese Journal of Applied Physics. Vol. 50 (2011), 041601 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2011 DOI 10.1143/JJAP.50.041601 článok
Názov Observation of continuous and quantized domain size and shape evolution in monolayers at air-water interface Autor Weis Martin Jr. SAVFYZIK - Fyzikálny ústav SAV Spoluautori Ou-Yang W. Yamamoto T. Matsuoka Y. Manaka T. Iwamoto M. Zdroj.dok. Japanese Journal of Applied Physics. Vol. 50 (2011), 051601 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2011 DOI 10.1143/JJAP.50.051601 článok
Názov Direct probing of carrier behavior in electroluminescence Indium-Zinc-Oxide/N,Ń-Di[(1-naphthyl)/N,Ń-diphenyl]/(1,1´-biphenyl)-4,4´-diamine/ Tris(8-hydroxy-quinolinato)aluminium(III)/LiF/Al diode by time-resolved optical second-harmonic generation Autor Taguchi D. Spoluautori Zhang L. Li J. Weis Martin Jr. SAVFYZIK - Fyzikálny ústav SAV Manaka T. Iwamoto M. Zdroj.dok. Japanese Journal of Applied Physics. Vol. 50 (2011), 04DK08 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2011 DOI 10.1143/JJAP.50.04DK08 článok
Názov Carrier Propagation Dependence on Applied Potentials in Pentacene Organic Field Effect Transistors Investigated by Impedance Spectroscopy and Electrical Time-of-Flight Techniques Autor Lin J. Spoluautori Weis Martin Jr. SAVFYZIK - Fyzikálny ústav SAV Taguchi D. Iwamoto M. Zdroj.dok. Japanese Journal of Applied Physics. Vol. 50, no. 4 (2011), O4DK01 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2011 DOI 10.1143/JJAP.50.04DK01 článok
Názov Grain boundary effect on charge transport in pentacene thin films Autor Weis Martin Jr. SAVFYZIK - Fyzikálny ústav SAV Spoluautori Gmucová Katarína 1955 SAVFYZIK - Fyzikálny ústav SAV Nádaždy Vojtech 1961 SAVFYZIK - Fyzikálny ústav SAV Majková Eva 1950 SAVFYZIK - Fyzikálny ústav SAV Haško D. Taguchi D. Manaka T. Iwamoto M. Zdroj.dok. Japanese Journal of Applied Physics. Vol. 50, no. 4 (2011), art. no. 04DK03 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2011 DOI 10.1143/JJAP.50.04DK03 článok