Výsledky vyhľadávania
Názov Analysis and modeling of vertical current conduction and breakdown mechanisms in semi-insulating GaN grown on GaN: role of deep levels Autor Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Chvála A. Šichman Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Priesol J. Šatka A. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. IEEE Transactions on Electron Devices. Vol. 68 (2021), no. 2365 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2021 DOI 10.1109/TED.2021.3065893 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Analysis and Modeling of Vertical Current.pdf Neprístupný/archív 1.3 MB 1 Vydavateľská verzia 
článok
Názov InN crystal habit, structural, electrical, and optical properties affected by sapphire substrate nitridation in N-polar InN/InAlN heterostructures Autor Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Kučera Michal 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Eliáš Peter 1964 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Semiconductor Science and Technology. Vol. 36 (2021), no. 075025 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2021 DOI 10.1088/1361-6641/ac06e4 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence InN crystal habit, structural, electrical, and optical_supplem.pdf Prístupný 528.6 KB 1 Autorský preprint InN crystal habit, structural, electrical, and optical.pdf Prístupný 723.6 KB 4 Autorský preprint InN crystal habit, structural, electrical, and optical properties affected by sapphire substrate nitridation.pdf Neprístupný/archív 3 MB 0 Vydavateľská verzia článok
Názov Investigation of interfaces and threshold voltage instabilities in normally-off MOS-gated InGaN/AlGaN/GaN HEMTs Autor Pohorelec Ondrej SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Seifertová Alena 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Pécz B. Tóth L. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Akcia VEGA 2/0109/17. vedúci projektu Gregušová, Dagmar : 2017-2020 VEGA 2/0012/18. vedúci projektu Kuzmík, Ján : 2018-2021 Zdroj.dok. Applied Surface Science. Vol. 528 (2020), no. 146824 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2020 DOI 10.1016/j.apsusc.2020.146824 File name Access Size Downloaded Type License Investigation of Interfaces and Threshold Voltage Instabilities_submitt.pdf available 1 MB 6 Author's preprint Investigation of interfaces and threshold voltage.pdf Neprístupný/archív 1.2 MB 1 Publisher's version článok
Title Semi-insulating GaN for vertical structures: role of substrate selection and growth pressure Author Šichman Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Co-authors Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Priesol J. Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Vincze A. Chvála A. Marek J. Šatka A. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Action APVV 18-0054. vedúci projektu Kuzmík, Ján : 2019-2022 VEGA 2/0012/18. vedúci projektu Kuzmík, Ján : 2018-2021 Source document Materials science in semiconductor processing. Vol. 118 (2020), no. 105203 Category ADCA - Scientific papers in foreign journals registered in Current Contents Connect with IF (impacted) Category of document (from 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Type of document článok Year 2020 DOI 10.1016/j.mssp.2020.105203 File name Access Size Downloaded Type License Semi-insulating GaN for vertical structures role of substrate selection and growth.pdf available 1.4 MB 8 Author's preprint Semi-insulating GaN for vertical.pdf Neprístupný/archív 1.2 MB 1 Publisher's version článok
Title Growth and properties of N‐polar InN/InAlN heterostructures Author Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Co-authors Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Action VEGA 2/0012/18. vedúci projektu Kuzmík, Ján : 2018-2021 Source document Physica Status Solidi A : applications and materials science. Vol. 217 (2020), no. 2000197 Category ADCA - Scientific papers in foreign journals registered in Current Contents Connect with IF (impacted) Category of document (from 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Type of document článok Year 2020 DOI 10.1002/pssa.202000197 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Growth and Properties of N_polar.pdf Neprístupný/archív 4 MB 1 Vydavateľská verzia článok
Názov Generation of hole gas in non-inverted InAl(Ga)N/GaN heterostructures Autor Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Chauhan Prerna SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Vančo L. Veselý M. Bouazzaoui F. Chauvat M.-P. Ruterana P. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Akcia VEGA 2/0012/18. vedúci projektu Kuzmík, Ján : 2018-2021 Zdroj.dok. Applied Physics Express. Vol. 12 (2019), no. 014001 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2019 DOI 10.7567/1882-0786/aaef41 URL URL link Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Generation of hole gas in non-inverted InAl.pdf Neprístupný/archív 605.7 KB 0 Vydavateľská verzia článok
Názov InGaN/(GaN)/AlGaN/GaN normally-off metal-oxide-semiconductor high-electron mobility transistors with etched access region Autor Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Tóth L. Pohorelec Ondrej SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Cora Ildikó Fogarassy Zsolt Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Seifertová Alena 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Laurenčíková Agáta 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Oyobiki T. Pécz B. Hashizume T. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Akcia VEGA 2/0012/18. vedúci projektu Kuzmík, Ján : 2018-2021 Zdroj.dok. Japanese Journal of Applied Physics. Vol. 58 (2019), no. SCCCD21 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2019 DOI 10.7567/1347-4065/ab06b8 URL URL link Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence InGaN (GaN) AlGaN GaN normally-off metal-oxide-semiconductor high-electron mobility transistors with etched access region.pdf Neprístupný/archív 855.4 KB 0 Vydavateľská verzia článok
Názov Determination of secondary-ions yield in SIMS depth profiling of Si, Mg, and C ions implanted GaN epitaxial layers Autor Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Vincze A. Noga Pavol Dobrovodský Jozef Šagátová A. Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Akcia VEGA 2/0012/18. vedúci projektu Kuzmík, Ján : 2018-2021 Zdroj.dok. ASDAM 2018 : The Twelfth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. P. 141-144. - : IEEE, 2018 / Breza J. ; Donoval D. ; Vavrinský E. ; ASDAM 2018 The Twelfth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems Kategória AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách Rok vykazovania 2018 DOI 10.1109/ASDAM.2018.8544657 článok