Výsledky vyhľadávania
Názov Mg doping of N-polar, in-rich InAlN Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Pohorelec Ondrej SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kučera Michal 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Precner Marián 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Vincze A. Akcia VEGA 2/0005/22. vedúci projetu: J. Kuzmík : 2022-2025 Zdroj.dok. Materials. Vol. 16 (2023), no. 2250 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2023 DOI 10.3390/ma16062250 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Mg Doping of N-Polar, In-Rich InAlN.pdf Prístupný 2.5 MB 1 Vydavateľská verzia 
článok
Názov In(Ga)N 3D growth on GaN-buffered on-axis and off-axis (0001) sapphire substrates by MOCVD Autor Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Eliáš Peter 1964 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kučera Michal 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Akcia VEGA 2/0005/22. vedúci projetu: J. Kuzmík : 2022-2025 Zdroj.dok. Nanomaterials-Basel. Vol. 12 (2022), no. 3496 Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2022 DOI 10.3390/nano12193496 Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence In(Ga)N 3D Growth on GaN-Buffered On-Axis and Off-Axis (0001) Sapphire Substrates by MOCVD.pdf Prístupný 5.4 MB 5 Vydavateľská verzia článok